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投资要点
7 月13 日有一家科创板上市公司“长鑫科技”询价。长鑫科技（688825）：公司专注于DRAM 产品的研发、设计、生产及销售，产品覆盖DDR、LPDDR 两大主流系列。公司2023-2025 年分别实现营业收入90.87亿元/241.78 亿元/617.99 亿元，YOY 依次为9.66%/166.07%/155.60%；归母净利润-163.40 亿元/-71.45 亿元/18.75 亿元，YOY 依次为-96.20%/56.27%/126.24%。根据公司初步预测，2026H1 营业收入较2025 年同期增长612.53%至677.31%，归母净利润较2025 年同期增长2,244.03%至2,544.19%。投资亮点：1、人工智能时代下，海量数据处理需求驱动全球千亿美元DRAM市场规模较快增长。数字经济浪潮下，数据处理量指数级增长；DRAM 作为现代信息技术和数字信息产业发展的重要基石，其需求长期增长确定性较强。根据和讯网行业资讯，单台AI 服务器对DRAM 的需求量是传统服务器的8至10 倍；同时海外存储大厂转产高附加值HBM，单颗HBM 芯片消耗的底层DRAM 晶圆产能相当于3 至4 颗标准DDR5 芯片，通用DRAM 供给持续受压。供需格局收紧带动存储产品价格显著上行，据Trend Force 发布的存储器价格调查，2026Q1 常规DRAM 合约价环比涨幅达90%至95%，且涨价周期或延续至2027 年。咨询机构Omdia 预测，2030 年全球DRAM 市场规模有望由2025 年的1,505 亿美元增至5,710 亿美元；国内作为DRAM 主要消费市场，当前供给高度依赖进口，国产化空间巨大。2、公司是我国DRAM产业龙头，产能规模稳居中国第一、全球第四；股权层面形成多层级国资深度托底、全产业链资本协同的特色架构。公司自2016 年设立起深耕DRAM领域，2019 年推出自研8Gb DDR4，实现了中国大陆DRAM 产业“从零到一”的突破。现阶段，公司不仅搭建了DDR 系列、LPDDR 系列等多元产品矩阵，可供应DRAM 晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多形态产品，并完成了从DDR4、LPDDR4X 到DDR5、LPDDR5/5X 的产品覆盖与技术迭代，核心工艺技术跻身国际先进梯队；同时，公司共拥有3 座12 英寸DRAM 晶圆厂，产能规模位居中国第一、全球第四。作为国内DRAM 龙头，公司已通过股权关系与国有资本、产业上下游构建了相互依存的战略合作关系；国有资本方面，合肥国资通过清辉集电等多个平台合计持股超35%，国家大基金二期作为第三大股东持股8.7%，安徽省国资委则间接持股7.9%；产业方面，上游引入了兆易创新、屹唐半导体、西安奕材、拓荆科技等存储设计、半导体设备及材料供应商，下游则吸纳了阿里、中兴通讯、小米、美的、蔚来、奇瑞汽车等算力平台、消费电子、汽车等领域龙头。3、公司创始人朱一明先生是我国存储产业核心领军人物，曾创办存储芯片设计龙头兆易创新。朱一明先生曾在美国从事存储器设计工作多年；2005 年回国后创办兆易创新，领导团队自研了国内首颗静态存储器及IP 技术、首颗串行闪存、首颗基于ARMCortex-M3 架构的32 位通用MCU，以及全球首款WSON8 封装的SPI NANDFLASH 产品等；2016 年为推动国产存储全产业链落地，又携合肥产投联合创办公司，目前为兆易创新实控人、并同时担任两家企业董事长。在其双重身份下，聚焦存储芯片设计的兆易创新与专攻存储芯片制造的长鑫科技形成天然的产业联动关系，构建起上下游高度互补的国产DRAM 产业闭环，2025交易数据总股本（百万股）60,192.80流通股本（百万股）
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/分析师李蕙SAC 执业证书编号：S0910519100001分析师戴筝筝SAC 执业证书编号：S0910526030001华金证券-新股- 新股专题覆盖报告（泰诺麦博）-2026 年77 期-总第714 期2026.7.10华金证券-新股- 新股专题覆盖报告（欧伦电气）-2026 年75 期-总第712 期2026.7.9华金证券-新股- 新股专题覆盖报告（永励精密）-2026 年73 期-总第710 期2026.7.4华金证券-新股- 新股专题覆盖报告（康美特）-2026 年74 期-总第711 期2026.7.4华金证券-新股- 新股专题覆盖报告（益坤电气）-2026 年71 期-总第708 期2026.6.29新股覆盖研究/http://www.huajinsc.cn/2/15年公司向兆易创新销售包括自有DRAM 产品及代工服务的相关收入达12 亿元以上。同行业上市公司对比：选取前述全球DRAM 主要厂商三星电子、SK 海力士、美光科技、南亚科技作为可比公司；同时基于技术特点、市场地位及业务模式等核心要素考虑，进一步选取台积电、中芯国际及华润微作为可比公司。从上述可比公司来看，2025 年可比上市公司的平均收入规模为4897.99 亿元，平均市净率（算术平均）为8.17X，平均销售毛利率为38.57%；相较而言，公司营收规模未及可比公司平均、但销售毛利率处于同业的中高位区间。风险提示：已经开启询价流程的公司依旧存在因特殊原因无法上市的可能、公司内容主要基于招股书和其他公开资料内容、同行业上市公司选取存在不够准确的风险、内容数据截选可能存在解读偏差等。具体上市公司风险在正文内容中展示。公司近3 年收入和利润情况会计年度2023A2024A2025A主营收入(百万元)9,087.124,178.261,799.3同比增长(%)9.66166.07155.60营业利润(百万元)-19,341.0-8,968.87,720.7同比增长(%)110.01-53.63-186.08归母净利润(百万元)-16,339.8-7,144.91,874.9同比增长(%)-96.2056.27126.24每股收益(元)-0.30-0.130.03数据来源：聚源、华金证券研究所新股覆盖研究/http://www.huajinsc.cn/3/15新股覆盖研究/http://www.huajinsc.cn/4/15
一、长鑫科技
自2016 年成立以来，公司始终专注于DRAM 产品的研发、设计、生产及销售；于2019 年9 月推出自主设计生产的8GbDDR4 产品，实现了中国大陆DRAM 产业“从零到一”的突破，同时积极把握行业发展趋势，持续进行产品迭代，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X 到DDR5、LPDDR5/5X 等产品覆盖和迭代升级，形成DDR 系列、LPDDR 系列等多元化产品布局，可提供DRAM 晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多样化的产品方案，从而有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。公司高度重视技术创新与先进工艺研发，建立了完善的研发创新体系，打造了经验丰富的研发团队，承担多项国家重大专项课题；通过持续不断的研发投入与技术创新，公司已形成多项科研成果，并在DRAM 产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节构建了全面、完善的核心技术体系，主要核心技术已达到国际先进水平。同时，作为DRAM 产业龙头企业，公司已与上下游合作伙伴共同构建了相互依存、共同发展的产业生态，在服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等各大领域积累了广泛的优质客户资源，建立了良好的品牌效应。（一）基本财务状况公司2023-2025 年分别实现营业收入90.87 亿元/241.78 亿元/617.99 亿元，YOY 依次为9.66%/166.07%/155.60%；归母净利润-163.40 亿元/-71.45 亿元/18.75 亿元，YOY 依次为-96.20%/56.27%/126.24%。根据最新财报情况，2026Q1 公司实现营业收入508.00 亿元，同比增长719.13%；实现归属于母公司净利润247.62 亿元，同比增长1688.30%。2025 年，公司主营业务收入按产品类别可分为三大板块，分别为DDR 系列（195.31 亿元，占2025 年主营收入的31.87%）、LPDDR 系列（407.04 亿元，占2025 年主营收入的66.43%）、其他产品及服务（10.41 亿元，占2025 年主营收入的1.70%）。2023-2025 年，LPDDR 系列产品始终为公司主要收入来源，收入占比稳定在65%以上。图1：公司收入规模及增速变化图2：公司归母净利润及增速变化新股覆盖研究/http://www.huajinsc.cn/5/15图3：公司销售毛利率及净利润率变化图4：公司ROE 变化（二）行业情况公司专注于DRAM 产品的研发、设计、生产及销售；根据产品类别，公司归属于DRAM 行业。
1、DRAM 行业
存储芯片作为数字时代信息能够及时、完整和可靠传输的重要保障，不仅是电子设备的核心部件，也是新一代信息技术得以实现和发展的核心支撑。根据断电后数据是否丢失，存储芯片分为易失型存储和非易失型存储两类。易失型存储主要指随机存取存储器（RAM），需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU 读写和处理，而非易失型存储主要包括只读存储器（ROM），无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。图5：存储芯片分类数字经济蓬勃发展下，DRAM 作为数据读写与传输的核心硬件载体，是全球半导体市场占比最高且增速最高的单一品类之一。DRAM 是主流的易失型半导体存储器，主要用于数据和程序的临时存储；作为处理器与外存进行数据交互的关键桥梁，DRAM 通常也被称为内存芯片，并广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等各类电子设备及系统。DRAM 的每个新股覆盖研究/http://www.huajinsc.cn/6/15存储单元仅由一个晶体管和一个电容器（1T1C）构成，通过电容的充放电状态表示数据位（0或1），且由于电容存在自然漏电特性，需要通过周期性电荷刷新维持数据完整性，因此称之为“动态存储器”。相较SRAM 等其他易失型存储器而言，DRAM 单元结构简单，能够在有限的芯片面积上集成大量存储单元，具有高存储容量和成本效率优势，因而具有广泛的应用场景。根据世界半导体贸易统计协会WSTS 统计，2025 年全球集成电路市场规模为7,009 亿美元，占半导体产业整体规模的比例约为88%，其中，全球存储芯片市场规模为2,300 亿美元，占集成电路市场规模的比例约为33%。根据Omdia 和WSTS 数据，DRAM 是市场规模最大的存储芯片，2025 年全球DRAM 市场规模为1,505 亿美元，占存储芯片市场规模的比例约为65%。图6：2025 年全球半导体、集成电路和存储芯片市场份额在DRAM 发展过程中，DRAM 产品类型主要分为DDR（双倍速率同步动态随机存储器）、LPDDR（低功耗双倍速率同步动态随机存储器）、GDDR（图形双倍速率同步动态随机存储器）和其他新型高端存储器等。其中，DDR 及LPDDR 产品面向广泛的下游终端应用领域，是DRAM市场的重要组成部分。JEDEC 定义并构建了上述标准化的内存技术规格体系，使得各厂商设计的产品满足目标应用的功率、性能和规格要求，具备互换性和兼容性。图7：RAM 主要分类及应用新股覆盖研究/http://www.huajinsc.cn/7/15在技术突破、性能迭代与市场应用需求的多维驱动下，各类型DRAM 产品呈现代际升级趋势，每代际新产品通常较前代际享有更高的速率和容量，以及更低的电压和功耗。2023 年至2025年，市场主要DDR 及LPDDR 产品分别处于DDR4 向DDR5、LPDDR4 向LPDDR5 迭代升级阶段。其中，DDR 产品方面，DDR4 市场占有率由2023 年的64%降至2025 年的27%，同期DDR5 市场占有率由32%提升至71%；LPDDR 产品方面，LPDDR4 市场占有率由2023 年的47%降至2025 年的27%，同期LPDDR5 市场占有率由52%提升至72%。除上述分类外，根据市场惯例，DRAM 产品通常也可分为主流DRAM 和利基DRAM。主流DRAM 以容量大、传输速率高为特点，主要应用于服务器、移动设备、个人电脑等市场领域，下游市场具有市场规模大、技术要求高的特点。利基DRAM 则指密度容量相对较低或从主流DRAM 规格退役的产品，主要应用于主流市场之外的其他应用场景，例如通信、工业控制、智能家居等市场领域。长期来看，全球DRAM 市场仍有广阔的增长空间。根据Omdia 数据，全球DRAM 市场规模有望从2025 年的1,505 亿美元增长至2030 年的5,710 亿美元，年均复合增长率为30.56%。图8：2020-2030 年全球DRAM 市场规模（单位：亿美元）中国DRAM 市场覆盖国内消费电子市场与电子信息制造业的广泛需求，在全球DRAM 市场中占有重要份额。根据Yole 数据，2024 年中国DRAM 市场规模约为250 亿美元，占全球DRAM市场规模的比重超过四分之一。作为全球主要的DRAM 需求市场，中国在该领域长期高度依赖进口，DRAM 本土厂商仍有广阔的市场空间。从下游应用领域来看，服务器、移动设备、个人电脑和智能汽车构成DRAM 主要应用领域，数字经济时代下多元应用场景的发展，有望拉动DRAM 需求持续增长。根据Omdia 统计，2025年全球DRAM 下游应用领域中，服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车市场需求占比分别约为50%、28%、13%和2%，前述四大应用市场合计占全球DRAM 下游应用需求市场的比例超过90%。数字经济时代下，服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车以及其他多元应用场景的持续发展，有望拉动DRAM 市场需求进一步增长。新股覆盖研究/http://www.huajinsc.cn/8/15图9：2025-2030 年DRAM 下游应用市场需求占比（1）服务器服务器DRAM 有望成为DRAM 各应用领域中增长最快的市场之一。根据Omdia 数据，2025年全球服务器DRAM 市场占比约为50%，到2030 年服务器DRAM 市场占比预计将增长至约71%。数据中心扩张、云计算发展对于数据处理基础设施建设的需求持续快速增长，成为服务器DRAM 市场规模扩大的核心驱动力之一。根据Omdia 预测，全球服务器搭载的DRAM 总量预计将由2025 年的约19,953MGB 增长至2030 年的约69,340MGB，2025-2030 年年复合增长率约为28.29%。图10：2025-2030 年全球服务器DRAM 搭载量（MGB）（2）移动设备移动设备DRAM 是DRAM 核心下游应用市场之一，其中智能手机应用在移动设备DRAM市场中占有主要份额，其余细分应用包括平板电脑等。移动设备性能提升及功能升级驱动单机内存容量增长，为移动设备DRAM 需求提供有力支撑，推动其市场规模稳健增长。根据Omdia 预测，全球移动设备搭载的DRAM 总量预计将由2025 年的约11,111MGB 增长至2030 年的约13,776MGB，2025-2030 年年复合增长率约为4.39%。新股覆盖研究/http://www.huajinsc.cn/9/15图11：2025-2030 年全球移动设备DRAM 搭载量（MGB）（3）个人电脑个人电脑DRAM 是DRAM 第三大应用市场，主要应用包含台式机和笔记本电脑等。个人电脑的换机升级以及端侧场景的持续拓展，成为驱动个人电脑DRAM 市场增长的重要因素。根据Omdia 预测，全球个人电脑搭载的DRAM 总量预计将由2025 年的约5,137MGB 增长至2030年的约7,930MGB，2025-2030 年年复合增长率约为9.07%。图12：2025-2030 年全球个人电脑DRAM 搭载量（MGB）（4）智能汽车智能汽车DRAM 正在成为DRAM 市场最具潜力的新兴赛道之一。尽管当前智能汽车DRAM占总体市场比例相对有限，但随着汽车智能化、网联化进程加速，自动驾驶和智能座舱的升级需求有望共同驱动汽车DRAM 市场进入高速增长阶段。根据Omdia 预测，全球智能汽车搭载的DRAM 总量预计将由2025 年的约968MGB 增长至2030 年的约1,916MGB，2025-2030 年年复合增长率约为14.63%。新股覆盖研究/http://www.huajinsc.cn/10/15图13：2025-2030 年全球智能汽车DRAM 搭载量（MGB）（5）其他领域在全球数字化浪潮驱动下，工业控制、可穿戴设备、智能家居等众多应用领域的发展驱动数据存储与处理需求蓬勃增长。根据Omdia 预测，全球其他多应用领域搭载的DRAM 总量预计将由2025 年的约2,988MGB 增长至2030 年的约4,456MGB，2025-2030 年年复合增长率约为8.32%。图14：2025-2030 年全球其他类DRAM 搭载量（MGB）受此行业特性的影响，DRAM 行业自20 世纪80 年代发展初期的数十家企业，发展到目前全球主要生产厂商包括三星电子、SK 海力士、美光科技及长鑫科技等。根据Omdia 的数据，基于销售额测算，2025 年三星电子、SK 海力士和美光科技在全球DRAM 市场的占有率分别为33.96%、34.48%和23.41%，上述三家企业合计占全球DRAM 市场90%以上的市场份额。近年来，国产DRAM 厂商里长鑫科技正逐步进入主要厂商阵营；基于Omdia 数据测算，按2025 年第四季度DRAM 销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至7.67%，并有望随着技术发展及产能建设实现进一步增长。除前述厂商外，其他占有一定市场份额的厂商主要集中在中国台湾，包括南亚科技、华邦电子、力积电等。（三）公司亮点新股覆盖研究/http://www.huajinsc.cn/11/15
1、人工智能时代下，海量数据处理需求驱动全球千亿美元DRAM 市场规模较快增长。数字
经济浪潮下，数据处理量指数级增长，根据IDC 预测，2025 年全球将产生213.56ZB 数据，到2029 年将增长一倍以上达到527.47ZB；而DRAM 作为现代信息技术和数字信息产业发展的重要基石，其需求长期增长确定性较强。根据和讯网行业资讯，AI 大模型训练与推理需求高速扩张，单台AI 服务器对DRAM 的需求量是传统服务器的8 至10 倍；同时三星、SK 海力士、美光等国际大厂将大量产线转向高利润的HBM 生产，单颗HBM 芯片消耗的底层DRAM 晶圆产能相当于3 至4 颗标准DDR5 芯片，通用DRAM 供给持续受压。供需格局收紧带动存储产品价格显著上行，据Trend Force 发布的存储器价格调查，2026Q1 常规DRAM 合约价环比涨幅达90%至95%，且涨价周期或延续至2027 年。咨询机构Omdia 预测，2030 年全球DRAM 市场规模有望由2025 年的1,505 亿美元增至5,710 亿美元，年均复合增长率达30.56%；国内作为DRAM主要消费市场，当前供给高度依赖进口，国产化空间巨大。
2、公司是我国DRAM 产业龙头，产能规模稳居中国第一、全球第四；股权层面形成多层级
国资深度托底、全产业链资本协同的特色架构。公司自2016 年设立起深耕DRAM 领域，2019 年推出自主设计生产的8GbDDR4 产品，实现了中国大陆DRAM 产业“从零到一”的突破，并逐步发展为我国产品布局最全、技术最先进、规模最大的DRAM 研发设计制造一体化企业。产品方面，公司不仅搭建了DDR 系列、LPDDR 系列等多元产品矩阵，可对外供应DRAM 晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多形态产品，全面匹配服务器、消费PC、智能终端、智能汽车等多领域下游应用需求，并完成了从DDR4、LPDDR4X 到DDR5、LPDDR5/5X 的产品覆盖与技术迭代，核心工艺技术跻身国际先进梯队；与此同时，公司亦持续扩充产能以稳固国产DRAM 供应链安全，在合肥、北京两地共拥有3 座12 英寸DRAM 晶圆厂，其产能规模位居中国第一、全球第四。作为国内DRAM 龙头，公司已通过股权关系与国有资本、产业上下游构建了相互依存、共同发展的战略合作关系。结合公司战略配售公告及招股书，在国有资本方面，合肥国资通过清辉集电、长鑫集成、产投壹号等平台合计持有公司股权比例超35%，国家集成电路产业投资基金二期以8.7%的持股比例位列第三大股东，同时安徽省国资委亦通过安徽省投间接持有公司7.9%的股权；产业股东则贯穿半导体上游至下游终端，形成“持股+业务”的双重绑定模式，上游引入兆易创新、屹唐半导体、澜起科技、西安奕材、拓荆科技、安集科技、通富微电、中微公司、华勤技术、沪硅产业等存储设计、半导体设备及材料供应商，下游则吸纳阿里、中兴通讯、小米、美的、TCL 科技、传音控股、蔚来、奇瑞汽车等算力平台、消费电子、汽车等领域龙头。
3、公司创始人朱一明先生是我国存储产业核心领军人物，曾创办存储芯片设计龙头兆易创
新。朱一明先生曾先后取得清华大学和纽约州立大学石溪分校电子工程系硕士学位，又在美国从事存储器设计工作多年；2005 年回国后创办了从事闪存芯片设计的兆易创新，领导团队自研了国内首颗静态存储器及IP 技术、首颗串行闪存、首颗基于ARM Cortex-M3 架构的32 位通用MCU，以及全球首款WSON8 封装的SPI NAND FLASH 产品等；为推动国产存储全产业链落地，朱一明先生又于2016 年携合肥产投联合创办公司。现阶段，朱一明先生为兆易创新实控人、并同时担任两家企业董事长；在其双重身份下，聚焦存储芯片设计的兆易创新与专攻存储芯片制造的长鑫科技形成天然的产业联动关系，构建起上下游高度互补的国产DRAM 产业闭环，2025 年公司向兆易创新销售包括自有DRAM 产品及代工服务的相关收入达12 亿元以上。（四）募投项目投入新股覆盖研究/http://www.huajinsc.cn/12/15公司本轮IPO 募投资金拟投入3 个项目。
1、存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目：项目拟在子公司上进行技术改造，逐步实现
向中高端产品生产线工艺技术的切换，包括刻蚀、薄膜沉积、清洗等工艺步骤的技术改造升级，完成工艺产品线的改造升级。通过实施本项目，一方面可以实现DRAM 生产线的技术改造升级、降低生产成本；另一方面也可以借技术升级改造，同步实施本土及新型设备、材料、零部件等的导入及合作，促进产业链、供应链本土化、多元化。据招股书披露，公司已于2025 年三季度前完成项目的初步设计、施工设计，将于2027 年底前分批实施厂务改造、机台搬入、机台调试、机台投产等工作，并于2028 年上半年前完成竣工验收。
2、DRAM 存储器技术升级项目：项目拟在DRAM 存储器示范线项目上进行技术改造，包
括刻蚀、薄膜沉积、清洗等工艺步骤的技术改造升级，核心升级内容包括工艺提升、产品迭代等；通过实施本项目，将子公司提升至更新一代工艺技术平台。据招股书披露，公司已于2025 年三季度前，完成项目前期工作，包括项目的初步设计、产能规划和设备需求规划，从2025 年第四季度开始启动设备购买计划，并计划于2026 年到2027 年底前分批实施设备搬入、设备调试等工作，于2028 年上半年前完成竣工验收。
3、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目：项目聚焦适配于未来先进DRAM 所需要
的前瞻技术研究，基于DRAM 未来前沿技术发展方向，对适配DRAM 的前瞻技术开展研发工作。据招股书披露，公司计划于2026 年12 月前，完成引入新机台的调试，实现适配DRAM 的前瞻技术平台的工艺流程搭建工作；2027 年12 月前，完成前瞻技术平台工艺平台与工艺开发的结构搭建与验证，并进行技术平台工艺流程的优化工作；2028 年12 月前，完成前瞻技术平台工艺与架构的完善，验证并提取出器件的关键电学特性工作。表1：公司IPO 募投项目概况序号项目名称投资总额（亿元）拟募集资金投资额（亿元）项目投资期存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目75.0075.00
3 年
DRAM 存储器技术升级项目180.00130.00
3 年
动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目90.0090.00
3 年
总计345.00295.00-（五）同行业上市公司指标对比2025 年度，公司实现营业收入617.99 亿元，同比增长155.60%；实现归属于母公司净利润18.75 亿元，同比增长126.24%。根据管理层初步预测，公司预计2026H1 实现营业收入1100亿元至1200 亿元，较2025 年同期增长612.53%至677.31%；预计实现归母净利润500 亿元至570 亿元，较2025 年同期增长2,244.03%至2,544.19%；预计实现扣非归母净利润520 亿元至580 亿元，较2025 年同期增长2,278.89%至2,530.30%。公司聚焦DRAM 产品领域，目前A 股尚无与公司在产品和业务可比的上市公司。在产品及业务方面，DRAM 行业内主要企业为境外企业，因此选取前述全球DRAM 主要厂商三星电子、SK 海力士、美光科技、南亚科技作为可比公司；同时基于技术特点、市场地位及业务模式等核新股覆盖研究/http://www.huajinsc.cn/13/15心要素考虑，进一步选取台积电、中芯国际及华润微作为可比公司。从上述可比公司来看，2025年可比上市公司的平均收入规模为4897.99 亿元，平均市净率（算术平均）为8.17X，平均销售毛利率为38.57%；相较而言，公司营收规模未及可比公司平均、但销售毛利率处于同业的中高位区间。表2：同行业上市公司指标对比代码简称元)市净率
2025 年营业收
入(亿元)
2025 年
营收增速
2025 年归
母净利润（亿元）
2025 年归
母净利润增速
2025 年归
属于母公司所有者权益（亿元）
2025 年
销售毛利率005930.KS三星电子67,170.843.2716,149.9310.88%2,142.6831.65%20,541.0939.38%000660.KSSK 海力士59,363.3110.184,702.8946.76%2,077.73116.89%5,834.2160.41%MU.O美光科技71,930.7814.514,009.6678.68%1,658.80390.02%4,956.8539.79%2408.TW南亚科技3,081.968.11148.4495.09%14.74230.09%379.8622.51%2330.TW台积电133,620.8311.198,491.2631.61%3,784.3546.55%11,937.6259.89%688981.SH中芯国际8,250.955.47673.2316.49%50.4136.29%1,508.2421.62%688396.SH华润微1,030.694.49110.549.24%6.61-13.37%229.8126.38%平均值49207.058.174897.9941.25%1390.76119.73%6483.9538.57%688825.SH长鑫科技//617.99155.60%18.75126.24%567.5440.99%备注：（1）营业收入、归母净利润、归属于母公司所有者权益数据来源为可比上市公司定期报告；其中美光科技选取截至2025 年12 月31 日向前滚动12 个月的营业收入总和及归母净利润总和，以及截至2025 年12 月31 日的归属于母公司所有者权益。（2）市净率=总市值（2026 年7 月13 日数据）/2025 年归属于母公司所有者权益；（3）2025 年可比上市公司综合毛利率数据，均引自长鑫科技招股说明书公开资料。（六）风险提示存在累计未弥补亏损的风险，产品及技术研发不达预期的风险，客户集中度较高的风险，技术泄密及知识产权保护、纠纷风险，主营业务毛利率存在波动的风险，固定资产建设投资及折旧金额较大的风险，研发投入较大、无形资产摊销金额较大及减值的风险，对重要子公司长鑫新桥和长鑫集电持股比例较低的风险，未来人工智能带来的DRAM 市场需求存在不确定性，宏观经济波动和行业周期性导致公司产品销售价格及经营业绩波动的风险，国际贸易摩擦导致产业链不稳定的风险，无控股股东和实际控制人的风险等。新股覆盖研究/http://www.huajinsc.cn/14/15公司投资评级：买入— 未来6-12 个月内相对同期相关证券市场代表性指数涨幅大于15%；增持— 未来6-12 个月内相对同期相关证券市场代表性指数涨幅在5%至15%之间；中性— 未来6-12 个月内相对同期相关证券市场代表性指数涨幅在-5%至5%之间；减持— 未来6-12 个月内相对同期相关证券市场代表性指数跌幅在5%至15%之间；卖出— 未来6-12 个月内相对同期相关证券市场代表性指数跌幅大于15%。领先大市— 未来6-12 个月内相对同期相关证券市场代表性指数领先10%以上；同步大市— 未来6-12 个月内相对同期相关证券市场代表性指数涨跌幅介于-10%至10%；落后大市— 未来6-12 个月内相对同期相关证券市场代表性指数落后10%以上。基准指数说明：A 股市场以沪深300 指数为基准；新三板市场以三板成指（针对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的）为基准；香港市场以恒生指数为基准，美股市场以标普500 指数为基准。