野村——亚洲AI PCB（印刷电路板）/封装基板与CCL（覆铜板）：2026年TPCA展会观察——供给进一步收紧，技术创新同步推进
一、核心判断
• 台北IMPACT-IAAC与TPCA展会调研结论：AI算力硬件瓶颈正从晶圆与先进封装，向“基板—PCB—CCL—电子布—铜箔—关键设备”全链条下沉。供给约束不是短期脉冲，而是2026下半年至2028年的结构性紧缺。
• 整体ABF（味之素堆积膜）载板名义产能过剩，但高端ABF载板（大尺寸、高层数、细线宽线距、嵌入无源/有源器件）缺口持续扩大；材料与设备交期拉长，是核心定价权来源。
二、封装基板与材料瓶颈
• 低CTE（热膨胀系数）T-glass（低介电玻璃布）持续紧缺：日东纺（Nittobo）计划FY28E将“厚T-glass”产能较FY26翻倍以上，但受织机瓶颈限制，预计其长期份额仍下降。织机核心供给来自丰田自动织机，交期由去年约3年延长至5年（至2031—2032年）；津田驹设备尚未完全满足行业标准。
• 电子级E-glass（常规电子布）涨价周期延续至2027上半年以后；E-glass与Low-Dk1玻璃布价差收窄，可能触发产能切换，反而推升Low-Dk1价格。
• 关键设备交期全面拉长：CO2激光钻孔机由12—14个月升至3年；曝光设备由1年升至3—5年；ABF真空层压机由不足6个月升至2.5年。
• 基板技术路线：尺寸由90—100mm迈向120—150mm乃至230mm；层数由10+2+10向18+n+18演进；线宽/线距由8/8μm向5/5μm、3/3μm迭代；嵌入IPD（集成无源器件）、DTC（深沟槽电容）、MLCC与多层核（MLC）成为系统级集成方向。
• 玻璃芯（Glass Core）TGV（玻璃通孔）回归产业视野，但SeWaRe（分层微裂）与可靠性仍是商用前主要障碍；氮化铝陶瓷芯具备高导热优势，但Dk（介电常数）偏高。玻璃芯商业化仍需时间。
三、PCB/HDI与CCL演进
• AI平台材料升级路径：2026—2027年主流由M8K1/K2（搭配M4/M6）向M9K1/K2迁移；Rubin Ultra计算板倾向HDI+5结构；交换板与计算板高层HDI化加速。
• 光模块驱动mSAP（改良半加成法）HDI升级：800G用10—12层、1.6T用12—16层、NPO（近封装光学）需16—18层；嵌入硅电容（Si-cap）提升高频性能，臻鼎（ZDT）具备主动IC嵌入经验，先发优势明确。
• 铜箔供给拐点：HVLP3/4（超低轮廓铜箔）受AI平台拉动紧缺；龙头退出HTE/RTF低端产能，导致消费级与通用服务器用铜箔同步收紧。德福、铜冠等国内供应商进入替代序列。
• 树脂路线分歧：碳氢树脂（HCR）阵营——台光电（EMC）、斗山、南亚；PTFE（聚四氟乙烯）阵营——
生益科技（SYTECH）、联茂（TUC）在M9/M10以上布局。PTFE电气性能优，但高温层压、钻孔、除胶渣、界面结合良率难度大；混合方案（PTFE+HCR）为过渡解，2027年中前难定终局。
四、价格与盈利传导
• 中低端CCL受E-glass涨价推动月度提价；高端CCL因供需更紧，预计2026年四季度起有10%—20%提价空间，毛利结构进一步优化。
• 若AI CPU/定制化平台需求超预期，短缺将甚于基准假设，涨价与盈利预测上修为板块核心催化。
五、投资结论与评级
• 封装基板：重申欣兴（Unimicron，买入），受益高端ABF紧缺、EMIB-T、大尺寸与嵌入技术领先。
• PCB/HDI：重申买入臻鼎（ZDT）、华通（Compeq）、
深南电路（SCC）、
胜宏科技（VGT）、
沪电股份（WUS）；HDI迁移利好具备高层HDI能力的头部板厂。
• CCL：重申买入台光电（EMC）、生益科技（SYTECH）；EMC凭产能规模与HDI材料卡位占优，生益科技PTFE与AI CCL渗透提升。
• 风险：设备交期延长、玻璃布/铜箔扩产不及预期、PTFE工艺良率低于预期、客户认证节奏放缓、AI资本开支波动。
六、产业映射结论
本轮不是“周期见顶”，而是“瓶颈后移+材料重定价”。真正稀缺的是可通过大客户认证的有效产能，而非名义扩产面积。供给慢变量（织机、T-glass、HVLP4、层压机、HDI良率）将主导2027—2028年利润分配。