汇报2❗️【天风电新】硅电容更新推荐（1）: 光模块率先放量，AI服务器市场需求弹性大- 0920
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🌟【核心结论】硅电容主要用于超高频去耦领域，光模块领域率先放量，AI服务器用量弹性很大：一是功率提升，超高频去耦需求增加；二是随着制造工艺迭代（DTC →VIC），硅电容容值持续提升，对MLCC替代空间打开，重点标的【
英集芯】【
颀中科技】。
1、技术优势：相较其他电容，硅电容是用半导体工艺制造，核心是高频性能好：
①ESL极低（可忽略），在10GHz超高频场景下，滤波效果远优于MLCC；②尺寸小，厚度薄，可与芯片封装在一起；③高温下容值无衰减。
当前问题：①成本偏高；②容值上限低（目前量产容值最高为104，105及更高容值仍在研发中，VIC工艺突破后可做到106以上）；③产能受限。
2、技术工艺：台积电、三星这类具备半导体制造能力的厂商有天然工艺优势，Fabless厂商需寻找代工企业，封装产能是限制硅电容厂商出货的瓶颈。
深沟槽DTC：当前成熟路线，为光模块场景的主流方案，但无法嵌入封装内部，容值上限较低，沿用传统MEMS产线。
过孔集成VIC：可实现容值提升（硅电容主要技术迭代方向），且能够埋入封装内部，适配先进封装高电流、高集成度需求，是未来AI服务器的主流方案，主要玩家包括台积电、三星、Empower。
3、竞争格局
当前硅电容市场龙一是村田，市场份额约为50；其余为Empower、罗姆、三星电机、威世、台积电等；其中光模块领域以村田为主，GPU、CPU则以Empower、三星电机为主
4、AI上的应用
✅AI服务器：用在芯片周边超高频滤波场景。随着功率提升，10GHz以上的高频杂波信号的影响会逐步增强，Rubin Ultra成为硅电容应用节点。
用量&价格：容值高，需要用在104及以上，105及以上需要VIC工艺；当前单机柜用量为50颗，单价为1.5美元左右；未来单机柜有望通胀至5000颗+
与mlcc的关系：互补，搭配使用）。硅电容是解决超高频去耦，MLCC是解决中频高频。
当前AI服务器单机柜MLCC总用量约50-60万颗，其中去耦MLCC占50%，而去耦MLCC中容值105&106占比50%；1颗硅电容可替代2-3颗MLCC，单机柜理论硅电容用量上限约6万颗左右（目前是在芯片周围使用），若容值上限突破后，用量更大。
✅光模块：1.6T单模块用量约30颗，3.2T单模块用量预计50-60颗。
容值较AI服务器低，主要用103为主；并非所有1.6T光模块都标配硅电容，取决于厂商设计能力，今年3-4月以来光模块硅电容订单明显放量，6个月生产周期。
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