📌高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）落地时间表逐渐明晰；三星将于 2028 年在 DRAM 生产中采用高 NA 技术，构成新增利好
📰消息：SPIE BACUS 大会上发布多项与高 NA EUV 相关公告。
🔍阿斯麦与台积电（摩根大通分析师 Gokul Hariharan 覆盖）宣布，台积电计划自 2030 年起，在先进制程的大规模制造中采用阿斯麦的高 NA 技术。
📌另外，三星（摩根大通分析师 Jay Kwon 覆盖）也宣布，将于 2028 年在 DRAM 的大规模量产中引入高 NA EUV。
💻英特尔（摩根大通分析师 Harlan Sur 覆盖）更新了高 NA EUV 的使用进展，表示英特尔代工业务已将其用于大规模制造，已处理超 100 万片晶圆，并在部分 Panther Lake 处理器（18A 制程）的特定工艺层启动量产。
📊我们观点：随着三星宣布将于 2028 年大规模采用高 NA EUV，高 NA EUV 落地时间表变得清晰许多，落地时间也更近。
💡海力士此前表示已经安装一台高 NA 设备用于大规模生产，在我们看来，高 NA EUV 技术将在 DRAM 市场更快普及。（不过海力士尚未公布该项技术确切落地时间）
📈三星 2028 年将高 NA EUV 导入 DRAM 大规模生产，大概率意味着阿斯麦会在今年下半年拿到高 NA 设备订单，2027 年订单规模进一步扩大。
🏭台积电用于大规模量产的相关订单将在 2028 年落地。台积电本次表态，与此前公布的高 NA 技术落地规划保持
一致。
❓阿斯麦是否会对相关订单给出指引目前尚不明确（该公司现已不再披露订单数据），但阿斯麦核心客户最新释放的高 NA 落地规划更加清晰，这也代表阿斯麦一条全新收入来源的轮廓变得更加明确。