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高盛——韩国科技板块——半导体·内存（Memory）——TrendForce内存专家电话会重申2027年DRAM与HBM强劲展望

• DRAM定价周期拉长：2027全年供应偏紧，涨价趋势有望延续至2028年上半年；服务器需求强劲抵消消费端疲软，长期协议（LTA）覆盖率若达60%–70%将平滑涨价斜率，但超额需求仍按溢价协商。

• HBM价格跃升：2027年HBM混合平均售价（Blended ASP）预计同比+122%至3.7美元/Gb，行业收入同比+230%突破2000亿美元；HBM4高端报价可超5美元/Gb，8层堆叠因Base Die（基础裸片）摊薄劣势反较12层溢价5%–10%。

• 产能硬约束：洁净室与设备交期限制下，2027年实质产能增量有限；韩国两大厂合计月产能仅增8万–10万片晶圆，且三星新增产能优先倾斜HBM，传统DRAM比特增长依赖制程迁移，有效供给拐点看2028。

• 需求结构迭代：Google TPU拉动HBM3E跨代需求，HBM4凭溢价在2027年贡献近60%行业收入（按收入口径而非比特口径）。

• 中国厂商中期威胁有限：2027年中国HBM份额预计<2%，晋华（JHICC）聚焦HBM2E、长鑫（CXMT）瞄准HBM3/3E，技术与良率距头部仍有代差。

• 评级与估值：重申三星电子（SEC，确信名单）与SK海力士（SK Hynix）买入；三星普通股目标价50万韩元（SOTP/ EV-EBITDA），优先股38万韩元；海力士目标价350万韩元（2026–27年平均EPS × 9倍PE）。