报告摘要
◼半导体设备国产替代：中国晶圆厂半导体设备国产化率已提升至35%，预计2025年达50%全球半导体设备市场高度集中，海外龙头厂商仍处于垄断地位，中国半导体设备厂商已覆盖多个细分领域，但国产替代仍处于早期阶段。根据SEMI，2022年中国晶圆厂商半导体设备国产化率明显提升，从21%提升至35%。预计2025年，国产化率将会达到50%，并初步摆脱对美国半导体设备的依赖。目前在28nm及以上领域，中国半导体设备厂商已基本实现了全覆盖，部分刻蚀、清洗环节已推进至先进制程节点，国产化率达80%以上。而在14nm工艺上，中国半导体设备厂商也实现了50%以上的覆盖，国产化率可能达到了20%以上。目前在14nm以下，国产化率仍较低，仅为10%左右。◼薄膜沉积设备市场：2023年全球市场规模达260亿美元，市场被海外厂商所垄断根据Maximize Market Research数据，全球薄膜沉积设备市场规模预计由2017年的125亿美元增长至2025年的340亿美元。未来，逻辑芯片制程升级、存储芯片堆叠层数提升、新工艺的应用，使得薄膜沉积设备在产线中的占比及价值量逐步提升，全球薄膜沉积设备市场规模将保持稳定增长态势。在薄膜沉积设备市场中，PECVD份额占比达33%，而其余占比较大的设备有PVD（19%）、ALD（11%）、管式CVD（12%）等。由于PECVD具有沉积速度快、工作温度低的优点，其在薄膜沉积设备中占据主要地位。◼薄膜沉积设备需求端：芯片制程升级，推动薄膜沉积设备需求大幅增长先进制程使得晶圆制造的复杂度和工序量大幅提升，当线宽向7nm及以下制程发展，需要采用多重曝光工艺，薄膜沉积次数明显增加。在90nm CMOS芯片工艺中，大约需要40道薄膜沉积工序。在3nm FinFET工艺产线，大约需要超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级，进而拉动晶圆厂对薄膜沉积设备需求量的增加。Chapter 1半导体设备产业综述©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：WSTS，头豹研究院全球半导体主要品类及占比情况，20232023年，全球半导体市场规模为5,201亿美元，同比下滑9.4%，主要由于2023年存储芯片需求疲软，导致半导体市场低迷。在AI芯片需求强劲的推动下，全球半导体市场将有所回暖，预计2024年市场规模增长至5,884亿美元全球半导体行业市场规模：2023年全球半导体市场低迷，预计2024年市场开始进入上行周期❑半导体是指介于导体与绝缘体之间的物理材料，其广泛应用于计算机、通信、消费电子、汽车、工业/医疗、军事/政府等核心领域。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）的分类标准，半导体主要由四个组成部分组成：集成电路（约占84.33%），光电器件（约占6.87%），分立器件（约占5.28%），传感器（约占3.52%）。其中，集成电路按照产品种类又可分为四大类：微处理器（约占13.42%），存储器（约占26.30%），逻辑器件（约占30.55%），模拟器件（约占14.27%）。❑根据WSTS的数据，全球半导体市场规模由2019年的4,123亿美元增长至2023年的5,201亿美元。2023年全球半导体市场规模同比下滑9.4%，主要由于2023年存储芯片需求疲软，导致半导体市场低迷。然而在AI芯片需求强劲的推动下，全球半导体行业将有所回暖，开始进入上行周期。预计2024年全球半导体市场规模将增长至5,884亿美元，同比增长13.1%。4,1234,4045,5595,7415,2015,884-20%-10%0%10%20%30%1,0002,0003,0004,0005,0006,0007,0002024E全球半导体市场规模同比全球半导体市场规模，2019-2024E单位：[亿美元]单位：[%]84.33%5.28%3.52%6.87%集成电路分立器件传感器光电器件30.35%14.27%26.30%13.42%逻辑器件模拟器件存储器微处理器集成电路模拟芯片信号链类电源管理类逻辑芯片通用芯片专用芯片FPGA等微处理器MPU、MCU等存储芯片易失性存储（RAM）非易失性存储（ROM）分立器件二极管三极管功率器件功率二极管、功率晶体管、晶闸管等被动元件电容、电阻、电感等光电器件光电导器件光敏电阻、光电二极管、光电三极管等光伏打器件硅光电池、光电检测器件、光电控制器件半导体发光器件发光二极管（LED）、半导体激光器等半导体受光器件图像传感器、光电晶体管、光电倍增管等传感器温度、压力、湿度、气体、离子、生物、声音、射线等各类信号传感器©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：《集成电路产业全书》，IC Insights，头豹研究院全球半导体行业资本开支及增速，2008-2023全球半导体行业周期性明显，技术驱动半导体10年长周期，资本开支驱动3-4年短周期。2023年全球半导体行业资本开支同比下降14%，主要由于芯片需求疲软及消费和移动设备库存增加，预计2024年资本开支迎来反弹全球半导体行业周期性：技术驱动10年长周期，资本开支驱动3-4年短周期单位：[%]单位：[亿美元]43.426.154.067.459.055.366.165.267.895.6106.1102.5113.1153.1181.7156.0-100%0%100%200%全球半导体资本支出同比半导体产品制造技术演进历程阶段第一代第二代第三代第四代第五代第六代时间区间特征尺寸12-3μm3-1μm1-0.35μm0.35μm-65nm65-22nm22-2nm存储器小于1KB到16KB16KB-1MB1-64MB64MB-1GB1-16GB（芯片组）16GB到1TB以上（芯片组）CPU字长（bit）4,88,1616,3232,64CPU晶体管数
104 - 105
105 - 106
106 - 107
108 - 109，多核架构多核架构主流圆片直径2-4in4in-150mm150mm，200mm200mm，300mm200mm，300mm200mm，300mm，450mm主流设计工具手工从逻辑编辑到布局布线从布局布线到综合从综合到DFMSoC、IPSoC、IP、SiP主要封装形式从TO到DIPDIP从DIP到QFPDIP、GFP、BGA多种封装、SiPSiP、3D封装、Chiplet等半导体行业：技术驱动10年长周期，资本开支驱动3-4年短周期❑2023年，全球半导体行业资本开支同比下降14%至156亿美元，下降主要由于芯片需求疲软以及消费和移动设备库存增加，许多半导体公司减少对新设备的投资，以应对市场的不确定性。其中，削减幅度最大的是存储公司，降幅为19%。从多年来全球半导体资本开支同比增速来看，全球半导体资本开支约3-4年为一个周期，预计2024年资本开支迎来反弹。4年3年4年©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：SEMI，头豹研究院半导体设备分类及投资价值占比半导体设备可分为前道设备（晶圆制造）和后道设备（封装与测试）两大类，前道设备投资量占总设备的80%以上。前道设备中，刻蚀设备、薄膜沉积设备和光刻机设备价值量占比分别为22%、22%和17%半导体设备：晶圆制造投资量占比超80%，其中光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备为核心单位：[%]单位：[%]❑半导体设备可分为前道设备（晶圆制造）和后道设备（封装与测试）两大类。前道设备涉及硅片加工、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗、抛光、金属化等工艺，所对应的核心专用设备包括硅片加工设备、光刻设备、刻蚀设备、清洗设备、离子注入设备、薄膜沉积设备、机械抛光设备、测量设备等，其中光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备是半导体前道生产工艺中的三大核心设备。后道设备则包括封装设备和测试设备，同时后道先进封装工艺也会用到部分前道设备。❑在晶圆厂的资本开支中，20%-30%用于厂房建设，70%-80%用于设备投资。根据国际半导体产业协会（SEMI），前道设备（晶圆制造）投资量占半导体设备投资量的约80%，封装和测试设备占比分别约为10%和8%。在晶圆制造设备中，刻蚀设备、薄膜沉积设备和光刻机分别占前道设备价值量的22%、22%和17%。半导体设备前道设备（晶圆制造）后道设备（封装测试）热处理设备光刻设备刻蚀设备清洗设备离子注入设备薄膜沉积设备机械抛光设备量测设备减薄机划片机装片机测试机分选机探针台80%10%8%2%半导体设备投资占比情况晶圆制造封装测试其他17%22%22%12%6%4%3%2%1%11%晶圆制造各类设备价值量占比情况光刻机刻蚀设备薄膜设备工艺控制成批清洗显影洗像化学机械抛光离子注入氧化退火其他©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：IBS，TEL，SEMI，头豹研究院每万片晶圆产能对应的设备投资量在相同产能下，集成电路设备投资量随制程节点先进程度提升而大幅增长，5nm制程下1万片/月的产能建设需要超过30亿美元的资本开支投入；2023年全球半导体设备市场规模受下游需求不振影响有所下滑，达874亿美元半导体设备投资额：集成电路设备投资额随制程节点先进程度提升而大幅增长单位：[亿美元]单位：[%]❑在相同产能下，集成电路设备投资量随制程节点先进程度提升而大幅增长。当技术节点向5nm甚至更小的方向升级时，集成电路的制造需要采用昂贵的极紫外光刻机（EUV），或多重模版工艺（重复多次刻蚀及薄膜沉积工序以实现更小的线宽），需要投入更多且先进的光刻机、刻蚀设备和薄膜沉积设备。根据IBS，以5nm技术节点为例，1万片/月产能的建设需要超过30亿美元的资本开支投入，是14nm的两倍以上，28nm的四倍左右。❑以DRAM、3D NAND和逻辑芯片为代表的集成电路制造工艺不断提升，对半导体设备提出了更高的要求，同时带动投资规模提升。根据东京电子（TEL），DRAM制程达到1b，3DNAND层数达到2XX时，新建10万片/月晶圆制造产能的设备投资额提升至90亿美元；逻辑芯片工艺达到2nm时，晶圆制造设备投资额将会达到210亿美元。4.275.016.167.99.4912.5416.922.8431.1142.9990nm65nm45nm28nm20nm16/14nm10nm7nm5nm3nm制造工艺升级提高产线设备投资额单位：[亿美元]-51Y1Z1a1bDRAM~$9B-59X12X17X2XX3D NAND~$9B-57nm5nm3nm2nm逻辑芯片~$21B全球半导体设备市场规模，2019-2024E单位：[亿美元]单位：[%]1,0261,0761,053-7.4%19.0%44.0%5.0%-18.6%4.0%-30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%1,0001,2002024E全球半导体设备市场规模同比❑全球半导体设备市场在5G、AI、物联网等新兴技术的驱动下不断扩大，市场规模由2019年的598亿美元增长至2022年的1,076亿美元，2017-2022年CAGR为15.8%。2023年，受到下游芯片需求疲软，以及终端库存过高的影响，全球半导体设备市场规模同比下降18.6%至874亿美元。预计2024年需求回暖，全球半导体设备市场规模达1,053亿美元，同比增长4.0%。©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：海关总署，头豹研究院美日荷半导体设备出口管制措施，2022-20232022年以来，美日荷相继发布对华芯片出口管制措施。半导体设备作为中国主要的“卡脖子环节”，正处于国产替代的黄金期。2023年6-7月，中国半导体设备进口额大幅增长，表明国产厂商正持续扩大成熟制程芯片的生产半导体设备国产替代：美日荷先进半导体设备封锁，中国半导体设备国产替代势在必行单位：[亿美元]单位：[%]❑2022年，中国大陆半导体设备行业整体进口金额达到347.2亿美元，出口金额达41.2亿美元，进出口贸易逆差达306.0亿美元。2023年6月和7月，中国进口的半导体设备价值总额接近50亿美元，较去年同期的29亿美元增长了70%，其中大部分进口的半导体设备来自于荷兰和日本。中国对半导体设备进口额的大幅增长，表明中国半导体制造厂商正在继续扩大成熟制程的生产。❑2022年10月，美国对中国半导体产业制裁升级。2023年3月，荷兰也加入了美国对华芯片出口管制的阵营。日本经济产业省也发布修订外汇法法令，将23类先进的芯片制造设备纳入出口管理的管制对象。其中包括清洗设备、成膜设备、热处理设备、曝光设备（包括极紫外EUV相关产品的制造设备）、蚀刻设备、高端光刻胶等。2022年以来，地缘政治不确定性持续加剧，半导体设备作为中国主要的“卡脖子环节”，仍处于国产替代的黄金期。中国大陆半导体设备进出口额，2018-2022307.7264.3316.4410.0347.225.122.125.836.541.2282.6242.2290.6373.5306.0-20%0%20%40%60%80%进口额出口额逆差进口同比增长出口同比增长国家日期主要半导体设备管制措施美国2022.10.07先进芯片、设备、人员全面管控，设备管控范围为16nm或14nm以下的逻辑芯片、128层以上NAND存储芯片以及半间距为18nm或以下的DRAM芯片的制造设备。2023.10.17发布《先进计算芯片规则》及《半导体制造物项出口管制规则》，为BIS针对其于2022年10月7日发布的出口管制规则的修订，细化关于半导体设备及人员管制范围。日本2023.05.23宣布修订《外汇与对外贸易法》，将包括先进芯片制造设备在内的23类商品列入管制出口清单，2023年7月23日政策生效。荷兰2023.06.30先进光刻机、ALD设备、Epi设备及low-k沉积设备、EUV光罩保护膜及生产设备受到出口管制。日本列入管制的主要设备主要实现功能日本主要涉及公司成膜设备（11类）在基板表面形成具备功能的膜
东晶电子、科意半导体、爱发科曝光设备（4类）将“电路图”转印到基板上尼康刻蚀设备（3类）去掉多余的薄膜东京电子、日立高新技术清洗设备（3类）使用药液去除杂质东晶电子、SCREEN控股测试设备（1类）对芯片进行测试爱德万测试热处理设备（1类）对铜、钴、钨进行回流东京电子检测设备（1类）EUV光掩膜版的检测JSR©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：SEMI，集微网，头豹研究院主要半导体设备海内外品牌及国产化率全球半导体设备市场高度集中，海外厂商处于垄断地位，中国半导体设备厂商已覆盖多个细分领域，国产化率总体已达35%，预计在2025年提升至50%半导体设备国产替代：中国晶圆厂半导体设备国产化率已提升至35%，预计2025年达50%中国半导体设备厂商工艺及产品应用制程，截至2023H1类别外资品牌国产品牌国产化率光刻设备ASML、Nikon、Canon上海微电子＜1%涂胶显影TEL、DNS芯源微10-30%刻蚀设备LAM、TEL、AMAT
中微公司、
北方华创10-30%薄膜沉积设备AMAT、LAM、TEL北方华创、
拓荆科技、中微公司、
微导纳米、
盛美上海等10-30%离子注入设备AMAT、Axcelis、Nissin烁科中科信、凯世通10-20%检测测量设备KLA、AMAT、日立高新
精测电子、上海睿励、
中科飞测等5-10%清洗设备DNS、TEL、KLA、LAM盛美上海、北方华创、
至纯科技、芯源微等20-30%CMP抛光设备AMAT、Revasum、Ebara
华海清科等20-30%热处理设备AMAT、TEL北方华创、华卓精科、屹唐半导体等30-40%去胶机PSK、Hitachi屹唐半导体80-90%❑全球半导体设备市场高度集中，海外龙头厂商仍处于垄断地位，中国半导体设备厂商已覆盖多个细分领域，但国产替代仍处于早期阶段。根据SEMI，2022年中国晶圆厂商半导体设备国产化率明显提升，从21%提升至35%。预计2025年，国产化率将会达到50%，并初步摆脱对美国半导体设备的依赖。❑目前在28nm及以上领域，中国半导体设备厂商已基本实现了全覆盖，部分刻蚀、清洗环节已推进至先进制程节点，国产化率达80%以上。而在14nm工艺上，中国半导体设备厂商也实现了50%以上的覆盖，国产化率可能达到了20%以上。目前在14nm以下，国产化率仍较低，仅为10%左右。设备公司工艺产品应用制程北方华创刻蚀先进制程刻蚀机已在客户端通过多道制程工艺验证，并量产应用薄膜沉积14nm薄膜沉积设备已在客户端通过多道制程工艺验证，并量产应用中微公司CCP逻辑：12英寸设备应用在65nm到5nm及更先进生产线逻辑：应用于28nm以下的一体化大马士革刻蚀进展良好存储：设备已在64层和128层3D NAND量产线上应用ICP可满足55nm到28nm逻辑芯片ICP刻蚀工艺在DRAM、3D NAND和存储器刻蚀应用范围不断扩展，在20家客户线上量产薄膜沉积LPCVD设备：首台CVD钨设备交付关键存储客户端验证，正开发信的金属钨填充工艺方案ALD设备：ALD钨设备正在研发，可用于高端存储，ALD氮化钛设备进入实验室和测试阶段拓荆科技PECVD覆盖全系列PECVD薄膜材料，包括通用介质薄膜和先进介质薄膜材料逻辑：完成28nm量产应用，14nm/10nm研发中存储：部分材料在64层、128层3D NAND中应用，19/17nm DRAM产业化验证中SACVDSA TEOS、BPSG、SAF工艺取得客户验证ALDPEALD SiO2、SiN产业化应用，TALD AL2O3在客户端验证HDPCVD可同时进行薄膜沉积和建设、通过产线验证，可沉积部分介质薄膜材料微导纳米薄膜沉积ALD：获得逻辑、存储、化合物、新型显示批量订单，12寸28nm high-k设备获得量产验证CVD设备已与客户试样华海清科CMP逻辑：实现28nm及以上成熟制程的产业化应用，14nm制程处于客户验证阶段存储：128层3D NAND、1X/1Y DRAM实现量产芯源微Track28nm以上制程全覆盖、offline、l-line、KrF机台批量销售，浸没式完成验证盛美上海清洗应用于逻辑28nm技术节点以及DRAM 19nm技术节点可拓展逻辑芯片14nm、DRAM 17/16nm技术节点、32/64/128层3D NAND至纯科技清洗满足28nm全部湿法工艺需求，14nm以下有4台订单交付万业企业离子注入28nm低速大束流、低能大束流重金属、低能大束流超低温和高能离子注入机已实现商业化中科飞测量检测量产多款28nm及以上量检测设备2x nm套刻精度量测设备正在验证，1x nm无图形晶圆检测设备处于研发之中Chapter 2薄膜沉积设备行业现状©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：拓荆科技，微导纳米，头豹研究院薄膜沉积技术分类及对比薄膜沉积设备是半导体制造的核心设备，薄膜沉积设备主要负责各个步骤当中的介质层与金属层的沉积，包括CVD（化学气相沉积）设备、PVD（物理气相沉积）设备/电镀设备和 ALD（原子层沉积）设备薄膜沉积设备：半导体制造关键设备，其技术可分为CVD、PVD和ALD三大类❑薄膜沉积设备是半导体制造的核心设备，不同类型的设备适合不同沉积材料和用途。薄膜沉积技术则是指在硅片衬底上沉积一层待处理的薄膜材料，所沉积薄膜材料可以主要分为：介质材料（二氧化硅、氮化硅、多晶硅等）、金属材料（铜、钨、钛、氮化钛等）和半导体材料（单晶硅、多晶硅等）。薄膜沉积设备主要负责各个步骤当中介质层与金属层的沉积，具体包括化学气相沉积（CVD）设备、物理气相沉积（PVD）设备、电镀设备和原子层沉积（ALD）设备，其中 ALD 又是属于 CVD 的一种，主要应用于先进制程工艺节点。从沉积效果看，PVD 是指向性沉积，适合沉积金属材料，而 CVD和 ALD 的沉积覆盖性较好，适合沉积介质材料，其中 ALD 对薄膜厚度控制精准度高，但沉积速度较慢。低压型（LPCVD）常压型（APCVD）金属有机化合物型（MOCVD）等离子体增强型（PECVD）CVD先进薄膜沉积设备热蒸发沉积等离子体溅射沉积PVDALD热原子层沉积（TALD）等离子体增强原子层沉积（PEALD）空间原子层沉积（SALD）电化学原子层沉积（ECALD）大气压原子层沉积（AP-ALD）流床式原子层沉积技术路线PVDCVDALD沉积原理物理气相沉积化学气相沉积化学表面饱和反应沉积过程成核生长成核生长逐层饱和反应沉积速度均匀性控制能力5nm左右0.5-2nm0.07-0.1nm薄膜质量化学配比一般，针孔数量高，应力控制有限具有很好的化学配比，针孔数量少，具有应力控制能力具有很好的化学配比，针孔数量少，具有应力控制能力阶梯覆盖能力工艺环境（温度、压强、流场等）对真空要求较高，镀膜具有方向性对工艺参数的变化较为敏感基于表面化学饱和反应，工艺参数可调整范围较大©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：拓荆科技，微导纳米，《集成电路产业全书》，头豹研究院CVD设备分类及介绍常用化学气相沉积（CVD）设备包括PECVD、SACVD、APCVD、LPCVD等，其中PECVD具有温度低、沉积速度快的优点，应用最为广泛。ALD设备则可精确控制薄膜厚度，用于先进制程中精细结构的沉积CVD设备：PECVD应用最为广泛，ALD则面向先进制程应用工艺分类描述热化学气相沉积APCVD常压化学气相沉积，可用于制备单晶硅、多晶硅、二氧化硅、掺杂的𝐒𝐢𝐎𝟐(PSG/BPSG)等简单特性薄膜。APCVD 是最早出现的CVD方法；优势：反应结构简单、沉积速率快；缺点：台阶覆盖率差，一般用于厚的介质沉积。LPCVD低压化学气相沉积，用于90nm以上的薄膜沉积主流工艺，用于沉积氧化硅、氮化硅、多晶硅、碳化硅、氮化镓和石墨 烯等薄膜，相较APCVD，LPCVD方法沉积的薄膜厚度均匀性好，台阶覆盖性好，沉积速率快，生产效率高，沉积的薄膜性能更好，因此应用范围更为广泛。MOCVD金属有机化学气相沉积，主要用于制备半导体光电子、微电子器件领域的各种化合物半导体单晶材料，在化合物半导体LED、激光器、高频电子器件和太阳电池等领域具备量产的能力。金属气相沉积MCVD最早用于钨填充接触孔和存储器的字线，3D NAND中，字线和插塞是由ALD和热反应CVD完成钨的沉积，14nm以后的制程，金属原子层沉积逐渐取代MCVD，但前者效率低，MCVD对于较厚的金属薄膜沉积依然是很好的选择。等离子体气相沉积PECVD等离子体增强化学气相沉积，用于沉积介质绝缘层和半导体材料。不同于APCVD/LPCVD使用热能来激活和维持化学反应，PECVD特点是借助微波或射频等使气态前驱物电离，形成激发态的活性基团，这些活性基团通过扩散到达衬底表面，进而完成化学反应完成薄膜生长。突出优点是低温沉积，薄膜纯度和密度更高。PECVD可以在相对较低的反应温度下形成高密度、高性能的薄膜，通常用于在含有金属或者其他对温度比较敏感的结构的衬底上生长薄膜，PECVD能够沉积大多数主流的介质薄膜、包括一些先进的low-k材料、硬掩膜等。HDPCVD、SACVD和FCVD是PECVD工艺的特殊形式，专门用于沟槽、孔洞填充：1)HDPCVD：130-45nm制程，使用HDP-CVD方法用PSG填充金属前介质层、用SiO2填充STI等工艺；2)SACVD（次常压CVD）：40nm以下，实现对STI（浅沟槽隔离）、PMD（金属前介质层）等沟槽的填充或薄膜的沉积；3）FCVD（流体CVD）：28nm及以下，完成对细小沟槽的无缝隙填充。原子层沉积ALD通过脉冲波进行单原子层膜逐层生长，将原子逐层沉积在衬底材料上，区别于传统CVD在于，CVD将不同反应气体同时导入腔室，ALD是让不同材料的脉冲波在不同时间到达晶圆表面，两种气体周期性地进行反应。具有生长温度低、 膜厚控制精准、薄膜均匀性好、致密度高及台阶覆盖率好等特点。Thermal-ALD使用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等优点，适用于金属、金氧化物、金属氮化物等薄膜沉积；PEALD利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度，较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。CVD设备中各类占比，2024E单位：[%]51%19%30%PECVDALD其他❑CVD根据反应条件不同又可分为次常压CVD （APCVD ）、低压CVD（LPCVD ）、等离子增强CVD（PECVD）、HDPCVD、ALD等，其中PECVD为CVD中的主流技术，预计2024年，PECVD在CVD市场中的份额占比将达到51%。©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：拓荆科技，微导纳米，《集成电路产业全书》，头豹研究院PVD设备分类及介绍常用物理气相沉积（PVD）包括真空蒸发、溅射镀膜和电镀等，其中磁控溅射PVD具有诸多优势，如薄膜致密度高、溅射范围广等，是近年来发展迅速且最先进的表面处理方法之一PVD设备：磁控溅射PVD应用范围最为广泛，发展前景可观工艺设备描述蒸镀真空蒸镀设备通过在真空室内加热固体材料，使其蒸发汽化或升华后凝结沉积到一定温度的衬底材料表面，对真空环境要求很高，真空蒸镀设备在大尺寸衬底上镀膜的均匀性比较差，虽然操作比较方便，但是难以满足蒸发某些难熔金属和氧化物材料的需要。电子束蒸镀设备针对真空蒸镀难以满足蒸发某些难熔金属和氧化物材料的需要改进，发展了以电子束作为加热源的蒸发方法——电子束蒸发，优点是可以获得极高的能量密度，可以蒸发难熔金属或者化合物，可以实现高纯度薄膜的制备，但是高能离子的轰击会引起衬底损伤。目前电子束蒸镀主要应用在LED的电极制作上。溅射DCPVD直流PVD：利用电场加速带电离子，使离子和靶材表面原子碰撞，将后者溅射出来射向衬底，从而实现薄膜的沉积。 使用DCPVD溅射绝缘材料时会导致正电荷在靶材表面积累，靶材的负电性减弱直至消失，导致溅射终止，因此不适用绝缘材料沉积，解决该问题的办法是使用RFPVD或者CVD；另外，DCPVD启辉电压高，电子对衬底的轰击强， 解决该问题的办法是使用磁控溅射PVD。RFPVD射频PVD：RFCVD采用射频电源作为激励源，轰击出的靶材原子动能较DCPVD更小，因此既可以沉积金属也可以沉积非金属材料，但由于台阶覆盖率能力不如CVD，一般多用CVD沉积绝缘材料；在实际应用中，RFPVD主要沉积金属栅或者配合磁控溅射PVD使用来降低器件损伤。Magnetron-PVD磁控溅射PVD：在集成电路制造中真正有价值的工艺。磁控溅射是一种在靶材背面添加磁体的PVD方式，利用溅射源（由磁体和电源构成）在腔室内形成交互的电磁场，延长电子的运动路径进而提高等离子体的浓度，最终实现更多的沉积。磁控PVD等离子体浓度更高，可以实现极佳的沉积效率、大尺寸范围的沉积厚度控制、精确的成分控制等，在当前金属薄膜PVD中处于主导地位。磁控DCPVD是应用最广泛的沉积方式之一，特别是平面薄膜的沉积，包括𝐀𝐥互连的金属层制备、𝐓𝐢𝐍金属硬掩膜沉积等。Ionized-PVD离子化PVD：传统PVD无法控制粒子的沉积方向，在孔隙深宽比增加时，底部的覆盖率较低，同时顶部拐角处形成最 薄弱的覆盖。离子化PVD为解决这一问题而出现，是对磁控溅射DCPVD的改进，可以控制金属离子的方向和能量， 以获得稳定的定向金属离子流，从而提高对高深宽比通孔和狭窄沟道的台阶底部的覆盖能力。主要用于𝐀𝐥互连的隔离层、钨栓塞的黏附层，以及𝐂𝐮互连的阻挡层和籽晶层，在高深宽比的空隙沟槽的集成电路工艺中占据主导地位。电镀ECP另外一种物理方法，作用是将一层金属的薄层镀到另一层金属上，主要用于后段工艺中对 𝐂𝐮 等金属导线和通孔的填充。优势在于形成的薄膜具备更低的电阻率和更好的填充特性，但最大的缺陷在于高深宽比的沟槽填充很不理想。❑物理气相沉积（PVD）也称作PVD镀膜技术，包括真空蒸发、溅射镀膜和电镀等，而磁控溅射镀膜是PVD镀膜技术的一种，是近年来发展迅速的一种表面镀膜技术，是最先进的表面处理方法之一。❑磁控溅射镀膜具有诸多优势，例如薄膜与基体结合力好，薄膜致密度较高；溅射范围广，可以沉积钽、铝、铜、钛等金属靶材，也可沉积ITO、AZO等非金属靶材；能够实现大面积靶材的溅射沉积，且沉积均匀性好。磁控溅射镀膜技术可以制备工业上所需要的超硬薄膜、耐蚀性薄膜、磁性薄膜、超导薄膜以及光学薄膜等功能性薄膜，发展前景十分可观。©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：《半导体薄膜技术基础》，《集成电路产业全书》，头豹研究院常见IC用薄膜分类薄膜沉积是决定半导体薄膜性能的关键，其工艺和设备壁垒较高。常见的薄膜主要分为半导体、介质和金属三大类，薄膜种类针对不同场景有不同侧重。未来，薄膜沉积设备将朝着低温和更高集成度的方向发展薄膜沉积技术：薄膜种类繁多且工艺复杂构筑高技术壁垒，未来向低温、更高集成度发展❑薄膜沉积是决定半导体薄膜性能的关键，其工艺和设备壁垒较高。主要因为：1）芯片由不同模块工艺集成，薄膜沉积是大多数模块工艺的关键步骤，薄膜本身在不同模块/器件中的性能要求繁多且差异化明显；2）薄膜沉积工艺需要满足不同薄膜性能要求，新材料出现或器件结构的改变要求不断研发新的工艺或设备；3）更严格的热预算要求更低温的生长工艺，薄膜性能不断提升要求设备具备更好集成度，另外，沉积过程还要考虑沉积速率、环境污染等指标。❑常见的薄膜主要分为半导体、介质、金属三大类，薄膜种类针对不同场景有不同侧重。半导体薄膜应用范围有限，主要应用于制备源/漏极的沟道区、单晶外延层和MOS栅极等；介质薄膜应用范围最广泛，主要用于前段的浅槽隔离、栅氧化层、侧墙、阻挡层、金属层前介质层，后段的金属层间介质层、刻蚀停止层、阻挡层、抗反射层、钝化层等，也可以用于硬掩膜；金属薄膜则主要用于金属栅极、金属层、焊盘，金属化合物薄膜主要用于阻挡层、硬掩膜等。判断薄膜工艺/设备性能的主要指标薄膜分类应用场景半导体多晶硅MOS的栅极、高值电阻等单晶硅功率器件的单晶外延层等非晶硅光伏领域、源极/漏极沟道区等介电质SiO2STI、栅氧化层、侧墙、PMD、IMD、阻挡层、硬掩模等Si3N4/SiN刻蚀停止层、硬掩模、钝化层等SiON抗反射层、栅氧化层、硬掩模等PSG/BPSG（磷硅/硼磷硅玻璃）PMD、钝化层等Low-K 材料在PMD中替代SiO2High-K 材料在栅介质层中替代SiO2W（钨）接触孔、通孔、栅极等金属/金属化合物WSi2/TiSi2/CoSix/NiSi源/漏/栅极上的硅化物层TiN阻挡层、金属栅等TITa/TaNAI/Cu金属层、金属栅极等主要指标注释良好的台阶覆盖能力台阶覆盖能力指在硅片表面各个方向上厚度一致，实际工艺中，容易在尖角处以及沿着垂直侧壁到底部的方向出现厚度不均的情况，造成台阶底部断裂填充高深宽比间隙的能力深宽比被定义为间隙的深度和宽度的比值，典型的高深宽比是金属层之间介质中的通孔，难于形成厚度均匀的膜，并且容易产生夹断和空洞，降低芯片可靠性和良率良好的厚度均匀性要求硅片表面各处薄膜厚度一致，材料的电阻会随薄膜厚度的变化而变化，但是膜层越薄，膜本身机械强度降低等高纯度和高密度需要避免沾污物和颗粒，要求洁净的薄膜沉积过程和高纯度的材料；膜密度表示膜层中针孔和空洞的密度，反映薄膜致密性高度的结构完整性和低的膜应力沉积中要控制晶粒的尺寸，同时确保沉积的薄膜较薄，防止薄膜间的应力导致硅片衬底变形、开裂、分层等对衬底材料或者下层薄膜保持良好的粘附性粘附性为了避免薄膜分层和开裂，防止因开裂导致杂质的进入。粘附性主要由表面洁净程度、薄膜及合金的材料等决定未来薄膜沉积设备发展趋势低温反应薄膜越来越严格的热预算限制要求更低温的薄膜生长工艺，例如通过多反应腔室沉积不同材料，通过冷却腔冷却加工后的硅片，实现不同薄膜的连续沉积更高集成度为了更好控制不同薄膜的生长，设备平台的系统集成度会更高，例如三维器件结构要求薄膜具备更好的台阶覆盖率、更强的沟槽填充能力和更精确的膜厚度控制等薄膜沉积设备未来发展趋势©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：拓荆科技，TEL，头豹研究院不同工艺节点薄膜沉积工序对比先进制程使得晶圆制造的复杂度和工序量大幅提升，随之制造设备成本也会越来越高，所需的薄膜沉积设备数量也随之增加薄膜沉积设备需求端：芯片制程升级，推动薄膜沉积设备需求大幅增长❑先进制程使得晶圆制造的复杂度和工序量大幅提升，当线宽向7nm及以下制程发展，需要采用多重曝光工艺，薄膜沉积次数明显增加。在90nm CMOS芯片工艺中，大约需要40道薄膜沉积工序。在3nm FinFET工艺产线，大约需要超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级，进而拉动晶圆厂对薄膜沉积设备需求量的增加。❑逻辑芯片制造工艺极为复杂，工艺制程的不断缩小尤其是在22nm以下，所需制造设备精准度大幅提升，随之设备成本也会越来越高，所需的薄膜沉积设备数量越多。
中芯国际180nm 8寸晶圆产线每万片月产能需要CVD设备及PVD设备分别为9.9台和4.8台，更先进的90nm 12寸晶圆产线每万片月产能需要CVD设备和PVD设备分别为42台和24台。❑在FLASH存储芯片领域，随着主流制造工艺已由2D NAND发展为3D NAND结构，结构的复杂化导致对于薄膜沉积设备的需求量逐步增加。而随着3D NAND FLASH芯片的堆叠层数不断增高，每层堆叠均需要经过薄膜沉积工艺步骤，对于薄膜沉积设备的需求也随之增加。根据东京电子（TEL）披露，在FLASH芯片产线的资本开支占比重，2D时代的薄膜沉积设备占比为18%，3D时代的占比为26%。同时，随着层数的不断增加，深宽比进一步扩大，需要的ALD设备更多。单位：[道]不同制程产线薄膜沉积设备数量对比单位：[台/万片月产能]薄膜沉积设备占FLASH产线资本开支比例单位：[%]90nm CMOS工艺3nm FinFET工艺产线9.94.8中芯国际180nm 8寸晶圆产线中芯国际90nm 12寸晶圆产线CVDPVD18%26%0%5%10%15%20%25%30%2D NAND3D NAND©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：Maximize Market Research，Gartner，拓荆科技，头豹研究院全球半导体薄膜沉积设备市场规模，2017-2025E2023年，全球半导体市场规模为5,201亿美元，同比下滑9.4%，主要由于2023年存储芯片需求疲软，导致半导体市场低迷。在AI芯片需求强劲的推动下，全球半导体市场将有所回暖，预计2024年市场规模增长至5,884亿美元薄膜沉积设备市场：2023年全球市场规模达260亿美元，市场被海外厂商所垄断❑根据Maximize Market Research数据，全球薄膜沉积设备市场规模预计由2017年的125亿美元增长至2025年的340亿美元。未来，逻辑芯片制程升级、存储芯片堆叠层数提升、新工艺的应用，使得薄膜沉积设备在产线中的占比及价值量逐步提升，全球薄膜沉积设备市场规模将保持稳定增长态势。❑在薄膜沉积设备市场中，PECVD份额占比达33%，而其余占比较大的设备有PVD（19%）、ALD（11%）、管式CVD（12%）等。由于PECVD具有沉积速度快、工作温度低的优点，其在薄膜沉积设备中占据主要地位。全球薄膜沉积设备市场竞争格局，2023单位：[%]单位：[亿美元]单位：[%]0%10%20%30%2024E2025E全球半导体薄膜沉积设备市场规模同比33%11%19%4%12%11%6%4%PECVDALD溅射PVD电镀ECD管式CVD非管式LPCVD其他薄膜沉积设备MOCVD30%21%19%30%CVDAMATLamTEL其他85%15%PVDAMAT其他31%29%40%ALDTELASMI其他❑从全球市场份额来看，薄膜沉积设备行业呈现高度垄断的竞争格局，全球市场基本由应用材料AMAT、先晶半导体ASMI、泛林半导体Lam、东京电子TEL等国际巨头垄断。❑在全球CVD市场中，AMAT占比约30%，Lam占比约21%，TEL占比约19%，三者合计占据超70%的市场份额；在全球PVD市场中，市场基本由AMAT垄断，份额占比达85%；在全球ALD市场中，TEL和ASMI分别占据了31%和29%的市场份额。❑目前，中国主要的薄膜沉积设备厂商包括拓荆科技、北方华创、微导纳米、中微公司和盛美上海。各国产厂商当前重点布局的产品主要进行差异化竞争，其中，微导纳米核心产品为ALD，拓荆科技重点布局PECVD，北方华创核心产品包括LPCVD、EPI和 ALD等，中微公司的半导体薄膜产品主要为LPCVD和ALD，盛美上海的PECVD正在研发中，预计即将送入客户端。©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：公司公告，头豹研究院国产薄膜沉积设备产品情况，截至2023H1（1/2）国产薄膜沉积设备厂商主要有拓荆科技、北方华创、中微公司、盛美上海、微导纳米、上海陛通和嘉兴科民等，厂商之间主要在细分领域进行差异化竞争国产薄膜沉积设备厂商产品布局：产品布局较为分散，厂商间进行差异化竞争（1/3）公司产品型号应用产品成熟度拓荆科技PECVDPF-300T用于逻辑芯片、存储芯片制造及先进封装等领域，可以沉积 SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、 BPSG、PSG 等通用介质薄膜材料，以及 LoKⅠ、LoKⅡ、ACHM、ADCⅠ、HTN、a-Si 等先进介质薄膜材料，可实现8英寸与12英寸PECVD设备兼容，具有高产能，低生产成本优势产业化应用PF-300T eXNF-300H存储芯片制造已实现应用，用于沉积时间较长的薄膜工艺，如Thick TEOS介质材料薄膜产业化应用UV CurePF-300T Upsilon该设备可以与PECVD成套使用，为PECVD HTN、Lok II等薄膜沉积进行紫外线固化处理产业化应用PEALDPF-300T Astra用于逻辑芯片、存储制造及先进封装领域，可以沉积高温、低温、高质量的 SiO2、SiN等介质薄膜材料完成产业化验证NF-300H Astra主要应用于集成电路存储芯片制造领域，可以沉积高温、低温、高质量的 SiO2、SiN等介质薄膜材料客户端验证Thermal ALDPF-300T Altai主要应用于集逻辑芯片、存储 芯片制造领域，可以沉积Al2O3等金属化合物薄膜材料客户端验证TS-300 AltairSACVDPF-300T SA广泛应用于逻辑芯片、存储芯片制造领域，可以沉积SA TEOS等介质薄膜材料，可实现8英寸与12英寸SACVD设备兼容通过客户验证PF-300T SAF广泛应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域，可以沉积BPSG、SAF等介质薄膜材料，可实现8英寸与12英寸SACVD设备兼容HDPCVDPF-300T Hesper主要应用于逻辑芯片、存储芯片制造领域，可以沉积SiO2、FSG、PSG等介质薄膜材料通过产业化验证取得订单TS-300S Hesper北方华创PVDeVictor AX30 Al pad PVD主要应用于Bond pad和Al interconnect工艺产业化应用exiTin H630 TiN MetalHardMask PVD专门针对55-28nm制程12寸金属硬掩膜设备产业化应用eVictor GX20 SeriesGeneral Sputter System可应用于集成电路Al线工艺产业化应用Polaris G620 SeriesGeneral Sputter System集成电路领域的Ti、TiN、Al等金属工艺，先进封装领域的Fan-out、Ti/Cu-Copper Pillar、TiW/Au-Gold Bump，功率半导体领域的Si基、SiC基IGBT和GCT等器件，微机电系统领域的Ti、Ni、 NiV、Ag、Al、Cr、TiW、SiO2、ITO等薄膜工艺产业化应用©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：公司公告，头豹研究院国产薄膜沉积设备产品情况，截至2023H1（2/2）国产薄膜沉积设备厂商主要有拓荆科技、北方华创、中微公司、盛美上海、微导纳米、上海陛通和嘉兴科民等，厂商之间主要在细分领域进行差异化竞争国产薄膜沉积设备厂商产品布局：产品布局较为分散，厂商间进行差异化竞争（2/3）公司产品型号应用产品成熟度北方华创CVDHORIS L6371 多功能LPCVD二氧化硅（LTO、TEOS）、氮化硅（Si3N4（含低应力））、多晶硅（LPPOLY）、磷硅玻璃（BSG）、硼磷硅玻璃(BPSG)、掺杂多晶硅、石墨烯、碳纳米管等多种薄膜-SES680A Silicon APCVDSES680A硅外延设备可以实现高质量的外延薄膜生长，适用于厚度5-130µm范围的外延工艺，N型、P型掺杂精确可调-THEORIS 302 / FLOURIS
201 Vertical LPCVD
氮化硅薄膜淀积、多晶硅薄膜淀积、非晶硅薄膜淀积、二氧化硅薄膜淀积等产业化应用Esther 200 Single WaferSilicon Epitaxy System外延层生长-ALDPromi Series ALD用加热的方式，通过在工艺循环周期内分步向真空腔内添加前驱体、实现对膜层厚度的精确控制，可用于沉积多种薄膜-微导纳米ALDiTomic HiK高介电常数（High-k）栅氧层、MIM电容器绝缘层、TSV介质层、金属化等薄膜工艺-iTomic PE（PEALD）根据不同温度要求制备氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等薄膜制备工艺及应用客户端验证iTomic MW可一次处理25片12英寸晶圆，适用于成膜镀率低，厚度要求高，以及产能要求高的关键工艺及应用，适用于存储芯片以及Micro-OLED显示器、MEMS等进入产业化验证CVDiTronix可用于芯片制造钝化层、扩散阻挡层、介电层、硬掩膜层与高级图案化层、电容覆盖层等应用领域客户端验证中微公司MOCVDPrismo D-Blue、PrismoA7、Prismo HiT3、Prismo Unimax蓝绿光及紫外光LED外延片和功率器件的生产产业化应用LPCVD-W CVD，先进逻辑器件接触孔填充，64层和128层3D NAND中的多个关键应用客户端验证ALD-W ALD，满足更高深宽比的结构的材料填充研发中EPI-28nm及以下的逻辑器件、存储器件和功率器件调试阶段©2024 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588来源：公司公告，头豹研究院中国薄膜沉积设备厂商产品布局情况，截至2023H1国产薄膜沉积设备厂商主要有拓荆科技、北方华创、中微公司、盛美上海、微导纳米、上海陛通和嘉兴科民等，厂商之间主要在细分领域进行差异化竞争国产薄膜沉积设备厂商产品布局：产品布局较为分散，厂商间进行差异化竞争（3/3）公司名称CVDALDPVDLPCVDAPCVDSACVDPECVDHDPCVDFCVDMOCVDECD/ECPEPI拓荆科技√√√√北方华创√√√客户端验证√√√中微公司客户端验证√研发中研发中盛美上海客户端验证√√√微导纳米客户端验证√上海陛通进入β阶段√√√研发中√嘉兴科民√√√❑中国国产薄膜沉积设备厂商主要有拓荆科技、北方华创、中微公司、盛美上海、微导纳米、上海陛通和嘉兴科民等，相较于应用材料AMAT、先晶半导体ASMI、泛林半导体Lam、东京电子TEL等国际巨头厂商，中国各厂商主要在细分领域进行差异化竞争。➢拓荆科技聚焦于CVD设备中的PECVD（2022年PECVD营收占比接近92%），同时也推出了SACVD、ALD和HDPCVD产品，广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线；➢微导纳米形成了以ALD技术为核心，CVD等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售；➢北方华创聚焦于PVD设备，同时又陆续推出了CVD、ALD设备。近期，公司自研的12英寸高密度HDPCVD正式进入客户端验证；➢中微公司首先推出了MOCVD，之后进一步布局了钨CVD、EPI和ALD设备；➢盛美上海在电镀领域具备优势，PECVD设备处于验证阶段；➢上海陛通相继推出了国产12英寸PECVD&SACVD、12英寸UV Cure、12英寸PVD、12英寸ALD、8英寸PVD；➢嘉兴科民主要聚焦于ALD设备，同时在磁控溅射机（PVD）和PECVD设备上有所布局。Chapter 3薄膜沉积设备企业推荐www.leadleo.comwww.leadleo.com400-072-5588拓荆科技是中国半导体薄膜沉积设备行业领军者，其主要聚焦于CVD设备。公司的产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线拓荆科技：国产CVD设备领军企业拓荆科技基本情况来源：公司官网，Wind，头豹研究院❑拓荆科技自设立以来立足自主创新，通过对薄膜沉积设备核心技术的构建，产品在实现薄膜性能参数的同时，满足了综合生产成本相对较低的商业经济性指标。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、
燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。公司凭借长期技术研发和工艺积累，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。❑公司的产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线。成立时间：2010年ESG综合得分：7.57/102023年，拓荆科技实现爱你营收27.04亿元，同比增长58.6%；实现归母净利润6.65亿元，同比增长80.4%。增长主要由于公司在新工艺应用及新产品开发方面取得显著成效，PECVD设备、ALD设备、SACVD设备持续拓展工艺，量产规模不断扩大，销售收入大幅度提升。在2022年的主营业务收入占比中，拓荆科技PECVD设备占比接近92%。2.54.47.617.127.00%50%100%150%200%250%300%拓荆科技主营业务收入，2019-2023营业总收入（亿元）同比（%）拓荆科技薄膜沉积产品型号产品进展PECVDPF-300T产业化应用PF-300T eXNF-300H产业化应用UV CurePF-300T Upsilon产业化应用PEALDPF-300T Astra完成产业化验证NF-300H Astra客户端验证Thermal ALDPF-300T Altai客户端验证TS-300 AltairSACVDPF-300T SA通过客户验证PF-300T SAFHDPCVDPF-300T Hesper通过产业化验证，取得订单TS-300S Hesperwww.leadleo.comwww.leadleo.com400-072-5588北方华创提供半导体装备、真空装备、新能源锂电装备和精密元器件产品。北方华创为国内PVD龙头企业，同时也推出了CVD和ALD设备北方华创：国资背景的PVD设备龙头企业北方华创基本情况来源：公司官网，Wind，头豹研究院❑北方华创是一家以电子专用设备和电子元器件为主要产品，集研发、生产、销售及服务于一体的大型综合性高科技公司。电子专用设备方面，公司以大规模集成电路制造工艺技术为核心，研发生产了集成电路工艺设备、
太阳能电池制造设备、气体质量流量控制器(MFC)、TFT设备、真空热处理设备、锂离子电池制造设备等系列产品，广泛应用于半导体、光伏、电力电子、TFT-LCD、LED、MEMS、锂电等多个新兴行业。成立时间：2001年ESG综合得分：6.84/102023年，北方华创预计实现营业收入213.7亿元，同比增长45.52%。公司始终坚持以客户需求为导向的产品创新，2023年主营业务呈现良好发展态势，市场认可度不断提高，应用于高端集成电路领域的刻蚀、薄膜、清洗和炉管等数十种工艺装备实现技术突破和量产应用，工艺覆盖度及市场占有率均得到大幅提升；2023年公司新签订单超过300亿元，其中集成电路领域占比超70%。北方华创薄膜沉积产品型号产品进展PVDeVictor AX30 Al pad PVD产业化应用exiTin H630 TiN Metal HardMask PVD产业化应用eVictor GX20 Series General Sputter System产业化应用Polaris G620 Series General Sputter System产业化应用CVDHORIS L6371 多功能 LPCVD-SES680A Silicon APCVD-THEORIS 302 / FLOURIS 201 Vertical LPCVD产业化应用Esther 200 Single Wafer Silicon Epitaxy System-ALDPromi Series ALD-40.660.696.8146.9213.70%10%20%30%40%50%60%70%北方华创主营业务收入，2019-2023营业总收入（亿元）同比（%）www.leadleo.comwww.leadleo.com400-072-5588微导纳米主要从事先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发生产和销售，基于ALD技术向光伏半导体领域扩展。在半导体领域，公司产品可应用于逻辑、存储、3D-IC等镀膜制造领域微导纳米：国产ALD设备领军企业微导纳米基本情况来源：公司官网，Wind，头豹研究院❑微导纳米在原子层沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术、纳米叠层薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺设备能量控制技术、基于原子层沉积的高效电池技术等前沿科技领域持续构筑和强化技术壁垒，并在此基础上继续深化ALD技术在下一代光伏电池、集成电路、先进存储等方面的技术储备，为客户提供更丰富的高端薄膜沉积产品。❑公司产品率先用于光伏电池片生产过程中的薄膜沉积环节，已覆盖包括通威太阳能、隆基股份、晶澳太阳能、
阿特斯、
天合光能等在内的多家知名太阳能电池片生产商。成立时间：2015年ESG综合得分：5.95/102023年，微导纳米实现营业收入16.8亿元，同比增长145.82%；实现归母净利润2.6亿元，同比增长374.47%。增长主要由于公司积极把握下游光伏、半导体行业市场规模扩大所带来的市场机遇，产品工艺、客户群体覆盖度进一步扩大，业务呈现良好发展态势，市场竞争力、运营效率持续提升，有力推动了公司订单规模和经营业绩快速增长。微导纳米薄膜沉积产品型号产品进展ALDiTomic HiK-iTomic PE（PEALD）客户端验证iTomic MW进入产业化验证CVDiTronix客户端验证2.23.14.36.816.80%50%100%150%200%250%300%350%400%450%微导纳米主营业务收入，2019-2023营业总收入（亿元）同比（%）www.leadleo.com400-072-5588© 2026 LeadLeowww.leadleo.com400-072-5588头豹业务合作行企研究多模态搜索引擎及数据库，募投可研、尽调、IRPR等研究咨询对产业及细分行业进行现状梳理和趋势洞察，输出全局观深度研究报告可阅读全部原创报告和百万数据，提供PC及移动端，方便触达平台内容定制报告/词条定制白皮书会员账号对客户竞争优势进行评估和证明，助力企业价值提升及品牌影响力传播依托完善行业研究体系，帮助学生掌握行业研究能力，丰富简历履历市场地位确认招股书引用研究覆盖国民经济19+核心产业，内容可授权引用至上市文件、年报行研训练营报告作者业务咨询广东省深圳市南山区粤海街道华润置地大厦E座4105室深圳办公室邮编：518057上海市静安区南京西1717号会德丰国际广场 2701室上海办公室邮编：200040江苏省南京市栖霞区经济开发区兴智科技园B栋401南京办公室邮编：210046张俊雅行业分析师袁栩聪首席分析师www.leadleo.com400-072-5588©2024 LeadLeo◼方法论 Methodology◆头豹研究院布局中国市场，深入研究19大行业，持续跟踪532个垂直行业的市场变化，已沉淀超过100万行业研究价值数据元素，完成超过1万个独立的研究咨询项目。◆头豹研究院依托中国活跃的经济环境，研究内容覆盖整个行业发展周期，伴随着行业内企业的创立，发展，扩张，到企业上市及上市后的成熟期，头豹各行业研究员积极探索和评估行业中多变的产业模式，企业的商业模式和运营模式，以专业视野解读行业的沿革。◆头豹研究院融合传统与新型的研究方法论，采用自主研发算法，结合行业交叉大数据，通过多元化调研方法，挖掘定量数据背后根因，剖析定性内容背后的逻辑，客观真实地阐述行业现状，前瞻性地预测行业未来发展趋势，在研究院的每一份研究报告中，完整地呈现行业的过去，现在和未来。◆头豹研究院密切关注行业发展最新动向，报告内容及数据会随着行业发展、技术革新、竞争格局变化、政策法规颁布、市场调研深入，保持不断更新与优化。◆头豹研究院秉承匠心研究，砥砺前行的宗旨，以战略发展的视角分析行业，从执行落地的层面阐述观点，为每一位读者提供有深度有价值的研究报告。◼法律声明 Legal Statement◆本报告著作权归头豹所有，未经书面许可，任何机构或个人不得以任何形式翻版、复刻、发表或引用。若征得头豹同意进行引用、刊发的，需在允许的范围内使用，并注明出处为“头豹研究院”，且不得对本报告进行任何有悖原意的引用、删节或修改。◆本报告分析师具有专业研究能力，保证报告数据均来自合法合规渠道，观点产出及数据分析基于分析师对行业的客观理解，本报告不受任何第三方授意或影响。◆本报告所涉及的观点或信息仅供参考，不构成任何证券或基金投资建议。本报告仅在相关法律许可的情况下发放，并仅为提供信息而发放，概不构成任何广告或证券研究报告。在法律许可的情况下，头豹可能会为报告中提及的企业提供或争取提供投融资或咨询等相关服务。◆本报告的部分信息来源于公开资料，头豹对该等信息的准确性、完整性或可靠性不做任何保证。本报告所载的资料、意见及推测仅反映头豹于发布本报告当日的判断，过往报告中的描述不应作为日后的表现依据。在不同时期，头豹可发出与本报告所载资料、意见及推测不一致的报告或文章。头豹均不保证本报告所含信息保持在最新状态。同时，头豹对本报告所含信息可在不发出通知的情形下做出修改，读者应当自行关注相应的更新或修改。任何机构或个人应对其利用本报告的数据、分析、研究、部分或者全部内容所进行的一切活动负责并承担该等活动所导致的任何损失或伤害。