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（1）光刻胶为晶圆制造核心材料，受益于 AI 浪潮需求景气向上。光刻胶是一类对光或其他辐射敏感的高分子材料，
经曝光、显影和蚀刻等工序将掩膜版上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。按光源波长，半导
体光刻胶可分为g 线（436nm）、i 线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）及EUV（13.5nm） ，价值量与技术壁垒依次
提升：g/i 线主要用于功率器件、模拟芯片、MCU 等成熟制程；KrF 覆盖0.11μm 至90nm 节点；ArF 覆盖90nm 至7nm
节点，是先进逻辑和存储芯片量产的主力光刻胶；EUV 用于7nm 及以下先进制程。根据
彤程新材招股说明书（援引弗
若斯特沙利文数据） ，2024 年我国半导体光刻胶市场规模约56 亿元， 预计2026 年达81 亿元、2029 年增至115 亿元，
2024-2029 年 CAGR 约15.5%，增量主要来自ArF 与KrF 胶。
（2）全球供给格局高度集中，日本厂商占据主导，国内高端产品依赖进口。2025 年前六大半导体光刻胶生产商合计
占据全球约83.91%的市场份额， 核心玩家包括东京应化TOK、JSR、 信越化学、 富士胶片、 住友化学等。 需求端， 我国
是全球最大的光刻胶消费市场，2025 年占 35.14%的份额；供给端，日本占全球53.87%的生产份额。2025M1-M9 我国
半导体光刻胶CR10 收入为54.6 亿元，其中日本厂商占比达76%，进口依赖度高企。
（3） 日本出口管制持续趋严， 供应不确定性上升， 国产替代势在必行。2025 年11 月， 日本修订 《出口贸易管理令》 ，
将 ArF 和 EUV 光刻胶纳入出口管制清单，实施“逐案审批”制度，审批周期从30 天延长至90 天，约110 家中国半导
体企业被列入重点核查清单；2025 年 12 月 30 日，东京应化等日企又主动将 i 线和 KrF 光刻胶的审批周期延长至最
长 90 天。我们认为，日本对华光刻胶出口持续趋紧，供应存在不确定性，国产替代紧迫性显著提升。
（4）国产光刻胶已突破 g/i 线，高端品类进入验证放量期，关注原料自研与验证领先的标的。当前g/i 线光刻胶国
产化率已超30%，KrF 大致处在1%-8%，ArF 不足1%，EUV 基本空白。国产替代的核心难点在于原材料、配方与客户验
证：1）树脂与光引发剂高度依赖进口，半导体光刻胶中树脂成本占比达40%-75%，ArF 树脂合成工艺壁垒极高；2）
配方需从数十种可选单体、上百种专利型光酸及多种功能性助剂中系统性筛选组合，难以逆向还原；3）下游客户导
入需经过2-3 年验证，海外龙头先发优势明显。
（5） 我们从半导体光刻胶、 显示与面板光刻胶、PCB 光刻胶及上游材料四条线索梳理A 股相关标的， 重点关注具备核
心原料自研能力、验证进展领先、产能释放节奏明确的企业。
晶圆厂验证不及预期；高端原料与设备受限；下游景气及开工率波动；行业竞争加剧与价格下降；技术路线变化。
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内容目录
1、光刻胶是什么？ .............................................................................. 3
2、光刻胶的构成？ .............................................................................. 3
3、光刻胶的分类？ .............................................................................. 4
4、光刻胶的市场空间如何？ ...................................................................... 5
5、光刻胶的竞争格局？ .......................................................................... 6
6、光刻胶的国产替代进展？ ...................................................................... 6
7、核心标的梳理 ................................................................................ 7
7.1、半导体光刻胶 .......................................................................... 8
7.2、显示与面板光刻胶 ...................................................................... 9
7.3、PCB 光刻胶与上游材料 .................................................................. 9
风险提示 ...................................................................................... 10
图表目录
图表 1： 光刻胶使用流程 ........................................................................ 3
图表 2： PCB 光刻胶成本占比 ..................................................................... 4
图表 3： 半导体光刻胶成本占比 .................................................................. 4
图表 4： 正性/负性光刻胶示意 ................................................................... 4
图表 5： 光刻胶分类与用途 ...................................................................... 5
图表 6： 全球半导体材料市场规模 ................................................................ 5
图表 7： 中国半导体光刻胶市场规模及结构 ........................................................ 5
图表 8： 全球与境内主要参与者 .................................................................. 6
图表 9： 2025 年光刻胶全球消费结构（分地区） .................................................... 7
图表 10： 2025 年光刻胶全球供给结构（分地区） ................................................... 7
图表 11： A 股光刻胶相关标的进展 ................................................................ 7
图表 12： 彤程新材光刻胶业务布局与最新进展 ..................................................... 8
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光刻胶是光刻工艺中的重要材料。光刻胶是一类对光或其他辐射敏感的高分子材料，经曝光、显影和蚀刻等工序将掩
膜版上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。光刻胶材料的性能指标对光刻的效果影响较大，具
体来看，分辨率决定最小图形能力，灵敏度影响曝光产能，线边粗糙度影响器件电学一致性，抗刻蚀性决定图形能否
完整转移，缺陷率则直接影响晶圆良率。光刻胶在先进光刻中具体应用流程包括：
1） 涂胶： 将需要被刻蚀的晶圆面朝上放置于图片， 涂抹上光刻胶， 通过高速旋转将光刻胶均匀涂抹于晶圆表面。
曝光+显影：紫外光通过光罩照射至光刻胶表面，被照射的地方化学性质发生改变，进而在显影液的作用下被清
除，从而暴露出下层需要被刻蚀的材料。
2）刻蚀：将处理好的晶圆片放置刻蚀液中，刻蚀液通常是可以和被刻蚀材料反映且不和光刻胶反映的液体。
3）清洗：利用相似相溶的原理去除多余的光刻胶。
图表1：光刻胶使用流程
来源：上海新泊地先进材料事业部微信公众号，
国金证券研究所
光刻胶的核心成分为树脂与感光剂。光刻胶主要由树脂、感光剂、溶剂及添加剂组成。从成分占比来看，根据《中国
石油和化工》期刊的数据，光刻胶含量成分占比分别为溶剂 50-90%、树脂10%-40%、感光剂1%-8%、添加剂1%。从成
本来看， 半导体光刻胶的树脂成本占比高于PCB。1） 对于PCB 而言， 树脂成本占比30%-40%， 单体成本占比15%-25%，
感光剂成本占比10%-20%， 溶剂+助剂成本占比10%-15%。2） 半导体光刻胶中， 树脂成本占比40%-75%， 感光剂成本占
比 20%-30%，溶剂+助剂成本占比 10%-15%。对于高端半导体光刻胶而言，以 KrF 光刻胶为例，树脂成本占比高达约
75%，感光剂约为23%，溶剂约为2%。
树脂是光刻胶原材料的最核心成分，属于骨架材料。树脂的结构设计涉及单体（树脂主要合成材料） 的种类和比
例，会直接决定光刻胶在特定波长下可以达到的线宽，也会影响 ADR（碱溶解速率）的特性，从而决定EOP（曝
光能量） 、EL（能量窗口） ，LWR（线宽边缘粗糙度）等。
感光剂（光敏剂、光引发剂）也是影响光刻胶性能的重要原料，不同品类的光刻胶用感光剂价差达数十倍，举例
来看， KrF 光刻胶用PAG 的价格在0.5-1.5 万元/KG，而ArF 光刻胶用PAG 的价格在1.5 万元/KG 以上，最高端
型号可达30 万元/KG，是KrF 用PAG 的20-60 倍。
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图表2：PCB 光刻胶成本占比 图表3：半导体光刻胶成本占比
来源：深企投产业研究，国金证券研究所 来源：深企投产业研究，国金证券研究所
光刻胶可根据显影与用途进行分类。根据显影后的图形关系，光刻胶分为正性胶与负性胶，正性胶曝光区溶解，便于
获得高分辨率图形；负性胶曝光区交联保留，通常具有较好机械强度与厚膜能力。
图表4：正性/负性光刻胶示意
来源：深企投产业研究院，
艾森股份招股说明书，国金证券研究所
根据应用领域，光刻胶可分为 PCB 光刻胶、显示面板光刻胶和半导体电路光刻胶（可细分为晶圆制造、先进封装） ，
其技术壁垒依次提升。
PCB 光刻胶：主要分为干膜光刻胶（感光干膜） 、湿膜光刻胶（也称液态感光成像抗蚀剂、线路油墨） 、光成像阻
焊油墨等，是目前电子化学品中国产替代进度最快的细分赛道之一。
显示面板光刻胶：应用于 LCD 液晶面板的彩色滤光片 （CF）和TFT 阵列两大制程， 按功能可分为以下核心品类：
彩色滤光片用光刻胶，包括红/绿/蓝（R/G/B）彩色光刻胶、黑色矩阵（BM）光刻胶，以及用于表面平坦化的保
护层（OC）光刻胶；TFT 阵列用光刻胶，主要用于栅极、源漏极等配线图形化，以g/i 线正性光刻胶为主；柱状
隔离子光刻胶，用于控制液晶盒厚。
半导体光刻胶：根据光源波长可分为g 线（436nm）、i 线（365nm）、KrF（248nm）、ArF 干式/浸没式（193nm）及
EUV（13.5nm）。其中，G/I 线主要用于功率器件、模拟芯片、MCU 及显示驱动芯片等成熟制程；KrF 覆盖 0.11μm
至 90nm 节点，广泛应用于逻辑芯片非关键层、存储芯片及CIS 等领域；ArF 分为干式和浸没式，可覆盖90nm 至
7nm 节点，是先进逻辑和存储芯片量产的主力光刻胶；EUV 则用于 7nm 及以下先进制程，是推动芯片制程进一步
微缩的核心材料。
35%
20%
15%
12.50%
树脂 单体 感光剂 溶剂+助剂
58%
25%
12.50%
树脂 感光剂 溶剂+助剂
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图表5：光刻胶分类与用途
分类 主要品类 主要用途
半导体光刻胶
g 线光刻胶（436nm） 6 寸晶圆
i 线光刻胶（365nm） 6 寸晶圆、8 寸晶圆
KrF 线光刻胶（248nm） 8 寸晶圆
ArF 线光刻胶（193nm） 12 寸晶圆
EUV 线光刻胶（13.5nm） 12 寸晶圆
面板光刻胶
彩色光刻胶、黑色光刻胶 用于制备彩色滤光片
触摸屏用光刻胶 用于在玻璃基板上沉积 ITO 制作触摸电极
TFT-LCD 正性光刻胶 用于微细图形加工
PCB 光刻胶
干膜光刻胶 用于微细图形加工
湿膜光刻胶（又称抗蚀剂/线路油墨） 用于微细图形加工
光成像阻焊油墨 用于微细图形加工
来源：观研天下，国金证券研究所
晶圆产能扩张是光刻胶需求增长的核心引擎。 光刻胶为晶圆制造过程中的消耗性材料， 需求量与晶圆投片量及光刻步
骤数直接相关。根据 SEMI《300mm 晶圆厂展望报告》 ，全球300mm 晶圆厂产能预计自 2024 年底以 7%的 CAGR 增长至
2028 年的 1110 万片/月、 创历史新高， 其中先进制程 （7nm 及以下） 产能由85 万片/月增至140 万片/月、 增幅约69%；
设备支出端，SEMI 预计2026 年全球300mm 晶圆厂设备支出增长18%至1330 亿美元，2027 年将首次突破1500 亿美元。
中国大陆是本轮扩产的最主要力量：2026-2028 年中国大陆300mm 晶圆厂设备投资预计达940 亿美元、居全球第一；
中芯国际、 华虹、
晶合集成、 长鑫存储等本土厂商持续扩产， 根据SEMI，2025 年中国大陆晶圆总产能同比增长15%至
1010 万片/月 （约当8 英寸） 、 占全球约三分之一， 至2028 年中国大陆在22-40nm 主流节点产能中的份额有望达42%。
本土晶圆产能持续放量，将直接扩大光刻胶尤其是KrF/ArF 光刻胶的需求基本盘。
根据中国电子材料行业协会（CEMIA）统计，2024 年全球光刻胶市场规模达64.28 亿美元、同比增长10.18%，其中半
导体光刻胶占比约60%、为最大品类。
图表6：全球半导体材料市场规模 图表7：中国半导体光刻胶市场规模及结构
来源：SEMI，国金证券研究所 来源：彤程新材招股说明书（H 股） ，QYResearch，国金证券研究所
根据弗若斯特沙利文，2024 年我国半导体光刻胶市场规模约 56 亿元，预计 2026 年达 81 亿元、2029 年增至 115 亿
元，2024-2029 年CAGR 约15.5%。 从需求结构看：ArF 市场规模预计由2024 年的26 亿元增至2029 年的64 亿元、CAGR
为19.7%，占比由46.4%提升至55.7%；KrF 预计由21 亿元增至40 亿元、CAGR 为13.8%。其中，KrF 需求增长主要来
自MCU、电源管理芯片、CIS、汽车电子等成熟制程扩产及先进芯片非关键层用量增加；ArF 需求主要受益于国产先进
逻辑、DRAM 及高端存储制程升级，浸没式光刻和多重曝光进一步提升单片晶圆的光刻胶使用强度；EUV 光刻胶受制于
国内 EUV 设备供应，短期仍以研发验证为主，尚未形成规模化商业需求。
-10%
-5%
0%
5%
10%
15%
20%
58
60
62
64
66
68
70
72
74
2021 2022 2023 2024 2025
市场总规模（十亿美元） 市场整体同比
0
20
40
60
80
100
120
2020 2021 2022 2023 2024 2025E2026E2027E2028E
G线及其他（亿元） KrF（亿元） ArF（亿元）
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全球供给格局较为集中，日本厂商占据主导。1）半导体光刻胶方面，目前核心企业包括东京应化TOK、JSR、信越化
学Shin-Etsu、Qnity、富士胶片Fujifilm、住友化学和韩国东进世美肯等。2025 年前六大半导体光刻胶生产商占有
全球大约83.91%的市场份额。 国内本土厂商有彤程新材 （子公司北京科
华微电子） 、
晶瑞电材、
恒坤新材、
容大感光、
鼎龙股份、
上海新阳等；2） 显示光刻胶方面， 目前核心厂商富士胶片Fujifilm、 住友化学、Merck KGaA (AZ)、JSR、
新日铁化学、DNP Fine Chemicals，2025 年全球前七大厂商占有大约71.73%的市场份额， 国内厂商主要有彤程新材、
雅克科技等；3）PCB 光刻胶方面，核心厂商主要有旭化成、長興材料Eternal、Resonac、 长春、Kolon Industries、
Mitsubishi Paper Mills Limited、Qnity 等，2025 年前三大厂商占有72%的市场份额。
图表8：全球与境内主要参与者
区域 代表厂商 定位与产品布局 进展与观察重点
日本
东京应化（TOK）
全球半导体光刻胶份额第一（份额 23%），g/i
线、KrF、ArF、EUV 全系列覆盖
已在中国台湾设立生产基地，贴近先进制程客
户配套供应
JSR
全球份额第二（份额 19%），ArF 光刻胶份额全球
领先，收购 Inpria 布局金属氧化物（MOR）EUV
光刻胶
拟在中国台湾建厂、目标 2028 年投产 EUV 用
MOR 光刻胶，韩国清州厂 2024 年 11 月奠基、
目标 2026 年投产
信越化学
全球前三，光刻胶覆盖主流制程并自产关键原材
料，同时为全球最大半导体硅片供应商
2021 年福岛地震后曾对中国大陆晶圆厂限供
KrF 光刻胶，供应稳定性受关注；中国台湾设
有生产基地
欧美 杜邦
杜邦为全球前五大半导体光刻胶供应商之一，覆
盖 i/g 线、KrF、ArF
杜邦为 KrF 市场主要参与者，TOK、信越、JSR
与杜邦四家合计约 85%
韩国 东进世美肯
韩国本土光刻胶龙头，产品覆盖 i/g 线、KrF、
ArF 及 EUV，深度绑定三星、SK 海力士
2022 年 12 月 EUV 光刻胶导入三星量产产线，
实现韩国本土 EUV 光刻胶突破
中国大陆
彤程新材
国内半导体光刻胶销售额本土供应商第一，ArF
与 KrF 合计几十款量产，配套 EBR、抗反射涂层
并自产 PHS 树脂
2025 年 ArF 光刻胶营收增长超 800%；2026H1
电子化学品收入 6.91 亿元、同比增长约 56%、
占营收约 32%
鼎龙股份
定位浸没式 ArF、高端 KrF，国内首条全流程高
端晶圆光刻胶量产线（合计年产能 330 吨） ，核
心树脂、特殊单体、光致产酸剂自主供应
2026 年 3 月 300 吨产线建成投产；8 款产品获
多家主流晶圆厂批量订单，2026 年上半年合计
获约 1000 加仑采购订单
上海新阳
建成 I 线、KrF、ArF 干法、ArF 浸没式各类光刻
胶完整研发生产平台，本部 100 吨/年产能建成
投产
多款产品实现批量化销售、2025 年销售规模同
比增长 30%以上；ArF 浸没式光刻胶已取得销
售订单
来源：公司公告，国金证券研究所
我国是光刻胶消费大国，但供给依赖日本进口。根据Qy Research，1）消费层面来看，我国是全球最大的光刻胶消费
市场，2025 年占有 35.14%的市场份额，之后是中国台湾地区和韩国，分别占有20.39%和 19.49%。2）生产端来看，
日本、 北美、 中国台湾、 韩国和中国大陆地区， 是主要的光刻胶生产地区，2025 年分别占有53.87%、8.59%、10.92%、
9.45%和 9.72%的市场份额。 国内半导体光刻胶大部分由日本厂商供应。 根据彤程新材招股说明书， 我国2025M1-M9 半
导体光刻胶CR10 收入为54.6 亿元，其中日本厂商占比达76%。
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图表9：2025 年光刻胶全球消费结构（分地区） 图表10：2025 年光刻胶全球供给结构（分地区）
来源：Qyresearch，国金证券研究所 来源：Qyresearch，国金证券研究所
日本光刻胶出口趋严，未来供应存在不确定性。我们认为光刻胶作为光刻工艺的重要材料，目前高度依赖日本进口，
供应存在不确定性。举例来看，2025 年 11 月，日本修订《出口贸易管理令》 ，将ArF 和 EUV 光刻胶纳入出口管制清
单，实施“逐案审批”制度，审批周期从30 天延长至90 天。与此同时，约110 家中国半导体企业被列入重点核查清
单， 需提交最终用途追溯报告。2025 年 12 月 30 日， 东京应化等日企， 又主动把i 线和KrF 光刻胶的审批周期， 延长
到最长90 天。由此可见，日本对于光刻胶的出口是在持续趋紧的，因此光刻胶的国产替代是势在必行的。
国产光刻胶已突破G/I 线，KrF、Arf 及 EUV 仍待突破。
g/i 线光刻胶：对应微米级制程，多用于功率器件、面板驱动芯片属于基本自主可控的成熟赛道。
KrF（248nm）光刻胶：覆盖 90nm-28nm 成熟制程，是车规芯片、模拟芯片、特色存储与先进封装的核心耗材，
国产化区间大致处在 1%‑8%。日系厂商依旧把控绝大多数市场份额；头部本土企业已经具备批量供货实力
ArF（193nm）光刻胶：覆盖 28nm-14nm 先进制程，分为干法与浸没式，是逻辑芯片、高端存储的刚需材料，技
术壁垒跃升一个数量级。国内 ArF 光刻胶整体国产化率不足 1%
EUV（13.5nm） 光刻胶： 适配 7nm 及以下顶尖制程， 是高端 AI 芯片、 先进存储的核心材料， 全球仅有JSR、 东京
应化 TOK、信越化学三家日系企业具备稳定量产能力。
国产替代难度在于解决原材料、配方以及客户验证。
原材料：我国光刻胶树脂及光敏剂高度依赖进口。1）以树脂为例，在 ArF 光刻胶中树脂的合成工艺壁垒极高，
全球范围内光刻胶原料大厂主要来自日本，一类是自产树脂的光刻胶厂商， 如信越化学、杜邦； 另一类是专门生
产光刻胶树脂厂商，如东洋合成、住友电木、三菱化学等。目前国内厂商如彤程新材、艾森股份等在树脂自研上
取得了一定进展，
圣泉集团、
强力新材等。2） 光引发剂同样依赖海外进口， 主要包括PAC 和PAG， 海外主导厂商
包括巴斯夫、黑金化成、台湾优禘等，国内的强力新材、苏州威迈芯材等进展较快。3）超净高纯试剂的国产化
率同样较低，国内精细化工水平与海外差距较大。
配方壁垒： 配方依赖长期研发， 且从成品中完整逆向还原出原始配方及其关键工艺。 厂商需从庞大的化学组分库
中（包括数十种可选单体、上百种专利型光酸及多种功能性助剂）进行系统性筛选与组合，并通过大量实验反复
测试。
客户验证角度：下游客户端导入需经过 2-3 年验证（PCB 光刻胶一般在 1-2 年） ，海外龙头受益于先发优势，与
台积电、三星及英特尔等FAB 厂协同较深，将配方嵌入工艺节点，因此对海外FAB 客户来说更换难度较高。
我们从半导体光刻胶、显示与面板光刻胶、PCB 光刻胶及上游材料四条线索梳理A 股相关标的，重点关注具备核心原
料自研能力、验证进展领先、产能释放节奏明确的企业。
图表11：A 股光刻胶相关标的进展
公司 代码 光刻胶进展定位 光刻胶相关收入及占比
彤程新材 603650.SH
产品覆盖 g/i 线，KrF 批量供货，ArF 放量初期，EBR
等配套量产
2025 年电子化学品收入 9.86 亿元、占
28.83%；2026H1 电子化学品收入 6.91 亿元、
占约 32%
中国大陆 中国台湾 韩国 其他 日本 北美 中国台湾 韩国 中国大陆 其他
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鼎龙股份 300054.SZ
浸没式 ArF、KrF 批量供货起步，8 款产品获多家晶圆
厂批量订单
年报称尚属市场开拓及放量初期
南大光电 300346.SZ ArF 小规模销售，累计 6 款通过客户验证 光刻胶收入突破 2000 万元、占比超 0.8%
晶瑞电材 300655.SZ i 线、KrF 批量供货，ArF 实现多家客户批量供应 光刻胶收入 2.23 亿元、占比 12.67%
上海新阳 300236.SZ
KrF 等多款产品批量化销售，ArF 浸没式取得销售订
单、验证中
同比增长 30%以上，测算超 1040 万元、占比
超 0.5%
雅克科技 002409.SZ
显示光刻胶批量供货、国内市占率领先，半导体及封
装光刻胶客户验证中
光刻胶及配套试剂收入 19.60 亿元、占比
27.65%
容大感光 300576.SZ
PCB 光刻胶批量供货为主，g/i 线半导体光刻胶批量
销售
PCB 光刻胶 9.93 亿元、占 92.87%；显示用光
刻胶及半导体光刻胶 3812 万元、占 3.57%
飞凯材料 300398.SZ
面板正性光刻胶规模化生产，i 线光刻胶量产推广，
KrF 配套 BARC 量产
分别计入屏幕显示材料 16.13 亿元、占 50%与
半导体材料 6.69 亿元、占 20.73%
强力新材 300429.SZ
上游材料：光引发剂、树脂批量供货，半导体光酸获
连续订单
光引发剂合计 6.88 亿元、占 69.97%，光刻胶
树脂 1.09 亿元、占 11.01%
来源：各公司年报及公告，国金证券研究所
7.1、半导体光刻胶
1）彤程新材（603650.SH）：国产半导体光刻胶龙头
公司以特种橡胶助剂为基本盘、电子材料为增长极，连续多年为中国最大的橡胶用酚醛树脂、补强树脂、粘合树脂生
产商， 主业稳定现金流支撑光刻胶长周期投入。2025 年实现营业收入34.29 亿元、 同比增长4.85%， 归母净利润5.63
亿元、同比增长8.86%，扣非归母净利润5.39 亿元、同比增长29.58%，其中电子材料业务收入9.86 亿元、同比增长
32.39%，占营收比重提升至28.76%。
半导体光刻胶销售额居本土第一，"成品胶+自产树脂+配套试剂"一体化构筑差异化壁垒。据公司 2025 年年报，公司
在国内半导体光刻胶市场销售额位列本土供应商第一，半导体光刻胶主体为控股子公司北京科华（持股96.33%） 、系
国内 KrF 光刻胶先行者、国内 8-12 英寸集成电路产线主要本土材料供应商之一。2026 年上半年公司实现营业收入
21.36 亿元、同比增长29.1%，归母净利润3.89 亿元、同比增长10.86%；电子化学品业务收入6.91 亿元、同比增长
约56.89%，占营收比重提升至32.44%，销量1.28 万吨、均价同比提升2.87%，光刻胶等电子化学品延续放量态势。
显示光刻胶同样稳居本土第一， 光刻胶平台价值有望持续兑现。 我们认为， 公司一体化布局在本土厂商中具备稀缺性，
KrF 基本盘份额扩大、ArF 放量接力叠加配套材料协同上量，电子材料板块有望保持高速增长。
图表12：彤程新材光刻胶业务布局与最新进展
业务板块 细分品类 最新进展 2025 年营收情况
半导体光刻胶及配
套
g/i 线光刻胶
成熟品类，与 KrF、ArF 共同支撑科华成为国内 8-
12 英寸集成电路产线主要本土材料供应商
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KrF 光刻胶
国内 KrF 先行者，多款产品通过中芯国际、华虹、
长江存储等主流晶圆厂认证并批量供货
2025H1 同比增长近 50%
ArF 光刻胶 通过多家客户验证、逐步切线放量
2025 年同比增长超 800%，26H1
同比增幅接近 300%
配套材料 EBR
国内首家实现 G5 级 EBR 量产，通过客户 40nm 及
28nm 工艺认证
EBR 2025 年销售额突破千万元
显示光刻胶
TFT-LCD 及 OLED 显示光刻
胶，主体为北旭电子
国内市占率约 30%居本土首位，最大面板厂占有率
超 60%，2025 年新增 6 家量产销售客户
北旭电子营业收入 4.02 亿元
光刻胶树脂
PHS 树脂、甲酚甲醛、丙烯
酸树脂
KrF 用 PHS 树脂多款产品实现量产与销售，丙烯酸
树脂中试放大、面向 ArFi 光刻胶及先进封装，上
海化工园区新建 6 条树脂产线已全部完成验收
—
来源：公司年报及公告，深企投产业研究院，国金证券研究所
2）鼎龙股份（300054.SZ）：CMP 材料平台优势外溢，高端光刻胶进入批量交付元年
公司以 CMP 抛光垫为核心构建半导体材料平台，业务覆盖CMP 抛光垫、抛光液/清洗液、半导体显示材料、先进封装
材料及高端晶圆光刻胶，按2025 年收入计为中国第一大CMP 抛光垫国产供应商、市场份额38.5%。
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国内首条全流程高端晶圆光刻胶产线投产，批量订单快速上量。公司定位浸没式ArF、高端KrF 等国内相对空白的高
难度品类，潜江二期年产300 吨 KrF/ArF 光刻胶产业化项目于2026 年 3 月建成投产，为国内首条覆盖"有机合成-高
分子合成-精制纯化-光刻胶混配"全流程的高端晶圆光刻胶量产线，已建成超 30 条成品产线并预留同等规模扩展空
间，叠加一期 30 吨中试线合计年产能 330 吨，核心树脂、特殊单体、光致产酸剂等关键原材料实现自主供应。订单
端，公司已向两家头部晶圆厂客户交付数百加仑浸没式ArF 及 KrF 光刻胶并在客户量产产线顺利应用，2026 年上半
年合计约获得 1000 加仑采购订单、批量交付规模持续提升；已有8 款高端晶圆光刻胶取得多家国内主流晶圆厂批量
订单，ArF 与 KrF 各4 款， 累计布局40 余款产品， 近30 款送样验证、 超10 款进入加仑样测试阶段， 产品矩阵纵深持
续加厚。
3）上海新阳（300236.SZ）：湿电子化学品高增兑现，光刻胶从投入期走向订单期
湿电子化学品国产标杆，半导体主业驱动业绩高增。公司主营集成电路用电镀液及添加剂、清洗液等湿电子化学品，
同步布局光刻胶及配套材料，另有工业涂料业务。
光刻胶全品类平台建成，收入从百万级迈向规模化。公司已建成包括I 线、KrF、ArF 干法、ArF 浸没式各类光刻胶在
内的完整的研发合成、配制生产、质量管控、分析测试平台，本部100 吨/年光刻胶产能已建成投产，原规划500 吨/
年高分辨率光刻胶产线调整至上海化学工业区基地实施。收入端持续爬坡：2023 年光刻胶收入 400 余万元，2024 年
同比增长超100%，2025 年多款产品批量化销售、销售规模同比增长30%以上，据此测算2025 年光刻胶销售规模已超
1040 万元；KrF 光刻胶已有多款产品实现批量化销售，ArF 浸没式光刻胶已取得销售订单、项目持续开发验证中。研
发端， 2024 年公司变更部分募集资金新增投入1.65 亿元用于ArF 浸没式光刻胶研发项目。 我们认为， 主业的利润贡
献与产线Baseline 地位为光刻胶导入提供了现成的晶圆厂渠道与信任基础， 光刻胶正处于从"研发投入期"向"订单兑
现期"切换的阶段，后续KrF 放量节奏与ArF 浸没式验证进展是核心跟踪变量。
4） 南大光电 （300346.SZ） ： 聚焦先进前驱体、 电子特气、 光刻胶及配套材料三大板块。 公司重点突破ArF 光刻胶， 已
有6 款产品通过客户验证，2025 年新增3 款通过验证并取得订单，光刻胶及配套材料全年销售收入突破2000 万元，
配套稀释剂收入实现翻倍。验证通过后更大的考验是实现稳定生产，品质出现微小变动都可能导致芯片良率下降。与
公司成熟的前驱体、电子特气业务相比，光刻胶收入占比仍低，当前主要价值在于先进产品验证和平台协同。
5） 晶瑞电材 （300655.SZ） ： 产品包括超净高纯试剂、 光刻胶及配套材料、 锂电材料等，2025 年营业收入 16.10 亿元、
归母净利润1.49 亿元。 旗下瑞红苏州拥有紫外宽谱、g 线、i 线、KrF、ArF 产品与测试平台，2025 年光刻胶收入 2.23
亿元、同比增长12.67%，其中i 线销量和销售额均增长超过30%，KrF 均增长超过70%，ArF 已向多家客户批量供应。
成熟胶已形成收入基础，高端胶处于加速爬坡期。
7.2、显示与面板光刻胶
1） 雅克科技 （002409.SZ）：业务电子材料与LNG 保温绝热板材两大主业， 电子材料覆盖前驱体、 光刻胶及配套试剂、
电子粉体、 特气等。光刻胶方面， 公司通过韩国业务布局彩色显示光刻胶等产品，2025 年光刻胶及配套试剂收入19.60
亿元、同比增长27.65%。 半导体及先进光刻胶布局方面，半导体光刻胶及封装光刻胶正在客户验证测试中、已通过
产品的产线正在建设，同时公司也在改造部分TFT 产能生产先进封装光刻胶。
2） 飞凯材料 （300398.SZ） ： 业务涵盖屏幕显示材料、 半导体材料、 紫外固化材料和有机合成材料，其中，面板正性光
刻胶已规模化生产，半导体材料板块还包括湿制程化学品、高纯溶剂等，年产3 万吨半导体专用材料项目的产品矩阵
包含光刻胶。半导体光刻胶方面， 公司i-line 光刻胶已量产、 处客户推广阶段，KrF 光刻胶抗反射层材料已量产，ArF
光刻胶抗反射层已在部分客户量产。
7.3、PCB 光刻胶与上游材料
1）容大感光（300576.SZ） ：是国内PCB 感光材料主要供应商，并拓展显示、半导体及光伏感光化学品，2025 年营业
收入 10.69 亿元、归母净利润1.18 亿元。2025 年 PCB 光刻胶收入 9.93 亿元，占总收入92.87%，显示用及半导体光
刻胶收入3812 万元、 占比3.57%、 同比增长14.27%。 公司正加速感光干膜光刻胶布局， 珠海基地一期两条产线投产、
年产能约 1.2 亿平方米，第三条高端进口生产线进入安装调试，预计年内试生产，届时总设计产能达1.8 亿平方米。
在AI 算力相关PCB 光刻胶领域，高阶HDI 及IC 封装基板用高端感光线路油墨已在
胜宏科技、
深南电路、
沪电股份等
头部厂商实现批量供货，供货份额约80%。
2）强力新材（300429.SZ） ：主要销售光引发剂、光敏树脂等电子化学品，服务PCB、显示和半导体感光材料产业链，
2025 年营业收入9.89 亿元、归母净利润亏损 1.27 亿元、亏损同比收窄。客户端，主要客户包括长兴化学、旭化成、
RESONAC、住友化学、JSR、DNP、三菱化学等全球知名光刻胶生产商；产品端，2025 年光引发剂合计收入6.88 亿元，
其中半导体光刻胶光引发剂收入6629 万元、 同比增长9.81%， 销量40.68 吨、 同比增长16.73%， 光刻胶树脂收入1.09
亿元；产能端，现有PCB 光刻胶光引发剂产能2100 吨/年、PCB 光刻胶树脂产能5.66 万吨/年、半导体光刻胶光引发
剂产能 80 吨/年，其他用途光引发剂在建产能6100 吨/年，年产 395.2 吨半导体先进封装材料项目已获批；验证端，
半导体光刻胶光酸持续推进车间建设、开发无PFAS 新产品并已获得连续订单，PAG 系列广泛应用于i 线、KrF 半导体
光刻胶领域，PSPI 处于客户验证阶段。
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1、 客户验证不及预期风险。光刻胶进入晶圆厂需经历长周期验证，若境内厂商产品验证进度或放量节奏慢于预期，
将影响收入兑现。
2、 高端原料与设备受限风险。 部分高纯原料及关键分析检测设备仍依赖进口， 若供应受限可能制约国产光刻胶的质
量提升与量产能力。
3、 半导体周期风险。光刻胶需求与晶圆开工率高度相关，下游景气及开工率波动将直接影响材料出货量与价格。
4、 竞争及价格风险。日本企业在高端领域具有长期积累优势，国产替代竞争加剧可能导致价格下降、盈利承压。
5、 技术路线变化风险。新一代光刻技术（如High-NA EUV 、干法光刻、MOR 光刻胶等）可能改变材料需求结构，现
有技术积累存在被颠覆的风险。
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行业投资评级的说明：
买入：预期未来 3－6 个月内该行业上涨幅度超过大盘在 15%以上；
增持：预期未来 3－6 个月内该行业上涨幅度超过大盘在 5%－15%；
中性：预期未来 3－6 个月内该行业变动幅度相对大盘在 -5%－5%；
减持：预期未来 3－6 个月内该行业下跌幅度超过大盘在 5%以上。
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