1. 本周市场回顾

投资要点：
电子板块行情复盘：本周申万电子指数下跌4.30%，跑输沪深300 指数（-0.54%），在申万一级行业指数中排名29/31，板块整体震荡回调。各细分板块中，品牌消费电子（+5.43%）、模拟芯片设计（+2.48%）、面板（+1.39%）涨幅居前，被动元件（-11.18%）、集成电路封测（-8.64%）、LED（-7.39%）等板块走弱。个股方面：本周SW 电子个股行情分化显著，格科微（+49.48%）、银河微电（+46.08%）、天禄科技（+41.86%）、恒久退（+41.18%）、维峰电子（+37.99%）为本周板块领涨标的；消费电子、PCB 相关标的整体承压回调，板块跌幅前五个股依次为昀冢科技（-30.91%）、唯特偶（-23.96%）、沃格光电（-22.98%）、富信科技（-22.16%）、超声电子（-22.03%）。2026 年7 月3 日，华为半导体何庭波发布《面向多层级电子系统的时间缩微理论》V2 版本。1）理论升级：新版在V1 框架基础上补充工程落地细节、实测量化数据与产品迭代规划，完善以时间常数τ为核心的后摩尔芯片缩放体系。2）工程技术层面：V2 提出LogicFolding（逻辑折叠）齿比核心定义，混合键合间距贴近顶层金属线宽后，3D 芯片设计可由宏块分层离散优化升级至标准单元全局连续优化，突破传统3D 堆叠只能按功能模块分层的设计瓶颈。3）实测数据层面：论文披露麒麟2026 对比麒麟9030 Pro 全套硬件参数，25℃同等算力下：工作电压1.1V 下降至0.9V；仅2.5GHz 主频达成前代2.75GHz 同等性能；归一化功耗0.59，功耗降低41%；裸片面积缩至前代0.625 倍，尺寸减小37.5%；功率密度0.944，发热小幅改善。4）技术路线层面：V2 完善移动端、AI 算力双线演进路径。移动端新增TSV 下移至M6 层、多层有源晶圆堆叠工艺；AI 算力明确昇腾加速器迭代节奏，围绕Unified Bus（统一总线）、Hi-ONE 硅光引擎规划中长期发展路线。我们认为，V2 仅依托实验室样机完成理论验证，初步贯通3D 堆叠、逻辑折叠与硅光互联技术路径，移动端及AI 芯片中长期迭代方向明确。华为自研技术筑牢先进封装、算力壁垒，叠加国产替代浪潮，技术若实现产业化，有望提振国内先进芯片、混合键合、硅光产业链景气。2026 年7 月3 日，国产存储芯片厂商江波龙发布2026H1 业绩预告。1）业绩预告数据：公司预计2026H1 营收220-250 亿元，同比增长116%-145%；归母净利润92-110 亿元，同比增长62204%-74394%。2）业绩增长驱动：一方面存储行业需求回暖、晶圆供给收紧，行业进入高景气周期；另一方面公司与多家全球头部存储晶圆原厂续签长期供货协议（LTA）与合作备忘录（MOU），稳定上游晶圆供给。我们认为，存储行业供需格局持续改善，公司长期锁定晶圆产能充分受益存储涨价周期，国产存储芯片业务盈利弹性充分释放，有望带动国内消费级、企业级存储产业链景气持续上行。投资建议：建议关注先进封装、硅光互联、国产算力芯片产业链。华为发布时间缩微理论V2，逻辑折叠、3D 混合键合完成实测验证，移动与昇腾AI 双线技术路径明确，方案实现低功耗、小尺寸，叠加多层晶圆堆叠、硅光引擎量产路线，长期打开国产先进集成芯片成长空间，先进封装、硅光互联、AI 算力配套赛道增量空间广阔。风险提示：1）海外厂商3D 集成、硅光技术迭代速度超预期，2）国产逻辑折叠、多层晶圆堆叠量产良率爬坡不及预期。一年内行业指数与沪深300 指数对比走势：相关研究《电子行业周报：HBM 需求旺盛推动Micron业绩大幅增长》2026-06-29《电子行业周报：SK Hynix 送样12 层HBM4E，AI 高端存储迭代提速》2026-06-22《电子行业周报：NVIDIA 携手SK Hynix 共建AI 内存与半导体智造新生态》2026-06-15《电子行业专题报告：Vera Rubin 量产提速，RTX Spark 打开终端AI 新空间》2026-06-08《电子行业周报：端侧AI PC 产业化落地，云端算力需求持续爆发》2026-06-08许亮S0820525010002联系人朱俊宇S0820125040021021-32229888-25520行业研究
1. 本周市场回顾
1.1 SW 一级行业涨跌幅一览本周申万电子指数下跌4.30%，跑输沪深300 指数（-0.54%），在申万一级行业指数中排名29/31，板块整体震荡回调。SW 一级行业涨跌幅排名前五的板块分别为：医药生物（+10.53%）、美容护理（+7.64%）、汽车（+7.06%）、农林牧渔（+6.73%）、纺织服饰（+5.69%）。排名后五的板块分别为：通信（-9.17%）、建筑材料（-4.77%）、电子（-4.30%）、基础化工（-0.59%）、电力设备（-0.41%）。
图表1：本周SW 一级行业涨跌幅一览
行业研究1.2 SW 电子三级行业市场表现本周SW 电子三级行业分化显著，涨跌幅排名前三的细分赛道分别为品牌消费电子（+5.43%）、模拟芯片设计（+2.48%）、面板（+1.39%）；涨跌幅排名后三的细分赛道分别为被动元件（-11.18%）、集成电路封测（-8.64%）、LED（-7.39%）。
图表2：本周SW 电子三级行业涨跌幅一览
1.3 SW 电子行业个股情况本周SW 电子个股行情分化显著，格科微（+49.48%）、银河微电（+46.08%）、天禄科技（+41.86%）、恒久退（+41.18%）、维峰电子（+37.99%）为本周板块领涨标的；消费电子、PCB 相关标的整体承压回调，板块跌幅前五个股依次为昀冢科技（-30.91%）、唯特偶（-23.96%）、沃格光电（-22.98%）、富信科技（-22.16%）、超声电子（-22.03%）。行业研究
图表3：SW 电子个股本周涨跌幅前五
图表4：SW 电子个股本周涨跌幅后五
1.4 SW 科技行业其他市场表现费城半导体指数（SOX）本周涨跌幅为-4.37%，恒生科技指数本周涨跌幅为+5.72%。
图表5：本周费城半导体指数涨跌幅为-4.37%
图表6：本周恒生科技指数涨跌幅为+5.72%
中国台湾电子指数各细分板块本周涨跌幅分别为：电脑及周边设备（+9.39%）、电子零组件（+9.10%）、电子（+5.32%）、通信网路（+5.10%）、资讯服务（+5.09%）、半导体（+4.68%）、电子通路（+3.92%）、其他电子（+1.51%）、光电（-0.03%）。行业研究
图表7：2025 年7 月-2026 年7 月中国台湾电子指数涨跌幅一览
2. 全球产业动态
2.1 江波龙发布2026H1 业绩预告新闻：2026 年7 月3 日，国产存储芯片厂商江波龙发布2026H1 业绩预告。公司预计2026H1 实现营业收入220 亿元–250 亿元，同比增长116%-145%；归母净利润区间92 亿元–110 亿元，同比增幅高达62204%-74394%。公司表示业绩增加源于：存储行业需求向好、晶圆供给偏紧带来高景气周期；同时公司与多家全球主要存储晶圆原厂续签了晶圆供应协议（LTA，即长期供货协议）和谅解备忘录（MOU），保障了上游晶圆供应。爱建观点：存储行业供需格局持续改善，公司长期锁定晶圆产能充分受益存储涨价周期，国产存储芯片业务盈利弹性充分释放，有望带动国内消费级、企业级存储产业链景气持续上行。2.2 华为发布“韬定律”V2 版论文，补充工程细节和实测数据新闻：2026 年7 月3 日，华为半导体何庭波发布《面向多层级电子系统的时间缩微理论》V2 版本。对比此前发布的V1 版本，新版论文在原有理论框架之上补充大量工程落地细节、量化实测数据与产品迭代路线，进一步完善了以时间常数τ为核心的后摩尔时代芯片缩放理论体系：1）工程落地层面：V2 版本完整阐释LogicFolding（逻辑折叠）的齿比（gear ratio）行业研究核心概念：当混合键合间距逼近顶层金属布线尺寸时，3D 芯片设计空间可从传统“宏块级离散分层优化”升级为“标准单元级连续全局优化”，能够实现垂直逻辑划分全局最优解，打破传统3D 堆叠仅能按功能模块分层设计的固有局限。2）量化实测数据层面：论文完整披露麒麟2026 与基准芯片麒麟9030 Pro 的电压、主频、归一化功耗、裸片面积及功率密度全套对比参数。在25℃、同等算力测试条件下：芯片工作电压由1.1V 降至0.9V；基准芯片主频2.75GHz，麒麟2026 仅需2.5GHz 即可实现同等运算性能；归一化功耗为前代0.59，整体功耗下降41%；归一化裸片面积0.625，芯片尺寸缩减37.5%；功率密度为0.944，单位面积发热得到小幅优化。3）全场景技术路线层面：V2 版本细化覆盖移动端、AI 端的完整技术演进路线图。移动端维度，新增TSV 硅通孔由顶层金属下移至M6 层、多层有源晶圆堆叠等工艺迭代路径；AI 算力维度，明确昇腾系列加速器迭代节奏，并围绕统一总线Unified Bus、Hi-ONE 硅光引擎等核心技术，完整展示中长期技术演进方向。爱建观点：华为本次发布的时间缩微理论V2 版本完成量产数据验证，打通3D 堆叠、逻辑折叠、硅光互联完整技术链路，移动端与AI 算力芯片迭代路径清晰，夯实公司先进封装、高性能计算核心技术壁垒，有望带动国内先进芯片、混合键合、硅光产业链景气持续上行。2.3 国巨7 月1 日起全系列电容产品涨价新闻：据中国台湾经济日报2026 年7 月1 日报道：全球被动元件龙头国巨自7 月1日起上调全系列电容解决方案产品售价，调价品类覆盖MLCC 陶瓷电容、铝电解电容、钽电容、高分子铝电容、薄膜电容及超级电容，电容业务营收约占公司整体收入的50%。本次涨价按产品品类差异化制定涨幅：通用消费级MLCC 涨价20%-40%；适配AI服务器、新能源车的高容高频主力MLCC 涨幅超40%，市面紧缺规格调价幅度进一步走高；钽电容、铝电解、薄膜电容、超级电容均同步实施阶梯涨价。此次全品类调价核心源于成本与需求双重压力：1）银、钽、钯等贵金属及封装化工材料价格高位运行，能源、海运物流成本持续抬升，公司依靠工艺、产能优化已无法消化成本压力。2）需求端，AI 算力、新能源车带动电容需求持续增长，高容高可靠型号产能持续满载；原厂优先保障长协大客户供货，中小批量订单交期进一步拉长。爱建观点：国巨全系列电容涨价验证行业景气上行，AI 服务器、新能源车拉动高端MLCC 需求增量明确，建议关注MLCC 及高端电容产业链投资机会。2.4 KIOXIA 与Sandisk 启动332 层BiCS10 闪存样品交付新闻：2026 年7 月3 日，KIOXIA 与Sandisk 联合宣布,双方协同研发的第十代BiCS行业研究FLASH 3D 闪存正式启动工程样品交付。本次送样产品为1Tb TLC 闪存芯片，采用332 层存储堆叠架构，由KIOXIA Fab2 晶圆厂专属产线制造。第十代BiCS FLASH 完整延续第八代落地的两大核心底层技术：CMOS 阵列直接键合（CBA）、节距选通（OPS），两项架构可在高层堆叠方案中兼顾存储密度、存储单元可靠性与功耗表现。产品I/O 接口支持Toggle DDR6.0，最高传输速率4800MT/s，存储密度超29Gb/mm²，较第八代BiCS 提升59%；功耗层面优化幅度突出：输出功耗下降34%、读取能效提升30%，输入功耗降低10%、写入能效提升18%。芯片兼容SCA、PI-LTT 配套协议，主要面向AI 数据中心、企业级高性能SSD市场。爱建观点：KIOXIA 与Sandisk 共同推出332 层第十代BiCS FLASH 并送样，存储密度、能效大幅优化，适配AI 数据中心高性能SSD 需求，看好高端3D NAND 产业链景气度。
3. 风险提示
1）海外厂商3D 集成、硅光技术迭代速度超预期：TSMC、Samsung 持续迭代SoIC、3D 堆叠与硅光封装工艺。若海外大厂加速新一代立体集成方案扩产，高端芯片市场竞争将加剧，压缩国内先进封装、硅光企业盈利空间，延缓国产技术替代节奏。2）国产逻辑折叠、多层晶圆堆叠量产良率爬坡不及预期：当前海外厂商已实现多代3D 芯片稳定量产，若国内厂商在标准单元级逻辑折叠、有源晶圆堆叠、硅光引擎良率提升等核心环节落地滞后，将持续拉大与海外龙头产品代差，难以充分承接AI 算力、高端移动芯片增量红利。爱建证券有限责任公司上海市浦东新区前滩大道199 弄5 号电话：021-32229888传真：021-68728700服务热线：956021邮政编码：200124网址：http://www.ajzq.com